ASC60N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET

2023-09-08
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●描述
■碳化硅(SiC)MOSFET采用了一种全新的技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优点包括最高的效率、更快的工作频率、增加的功率密度、减少的EMI和减小的系统尺寸。

●功能
■低电容高速开关
■RDS低时阻塞电压高(打开)
■具有独立驱动源引脚的优化封装
■易于并行且易于驱动
■符合ROHS,无卤素

ASC60N1200MT4 1200V N沟道MOSFET

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ASC60N1200MT4

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