ASC60N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET
●描述
■碳化硅(SiC)MOSFET采用了一种全新的技术,与硅相比,该技术提供了卓越的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此,系统的优点包括最高的效率、更快的工作频率、增加的功率密度、减少的EMI和减小的系统尺寸。
●功能
■低电容高速开关
■RDS低时阻塞电压高(打开)
■具有独立驱动源引脚的优化封装
■易于并行且易于驱动
■符合ROHS,无卤素
ASC60N1200MT4 1200V N沟道MOSFET |
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[ 电动汽车充电 ][ 高压dc/dc变换器 ][ EV电机驱动 ][ 太阳能逆变器 ][ 模式电源开关 ] |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-247 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023/7/26 |
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage(V)
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RON(mohm)
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Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
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SiC Chips
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TO-247-3
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650V
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320mohm
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-40~175℃
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Development
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