MMFTP2319 P-Channel Enhancement Mode FET
■特点：\n
●快速切换时间
●符合RoHS（w/o EXEMP.）
●REACH，冲突矿物
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MMFTP2319 P沟道增强型FET |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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SOT-23;TO-236 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023-08-18 |
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Version 2023-08-18 |
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697 KB |
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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N
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0.35
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Diotec半导体公司简介
Diotec Semiconductor AG公司专注于满足客户需求，优化成本/性能比，致力于绿色发展。公司提供包括二极管、晶体管、保护器件、MOSFET、稳压器等在内的多种半导体产品。资料中展示了公司的历史里程碑、创新产品、产品更新、产品系列和应用领域，如照明、泵、汽车、新能源等。
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MMFTP84W P沟道增强型FET
该资料介绍了MMFTP84W型P沟道增强模式MOSFET的特性。它适用于商业/工业级应用，具有快速开关时间、符合RoHS标准等特点。资料提供了详细的电气参数、机械数据和应用领域。
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MMFTP5618 P沟道增强型FET
该资料介绍了MMFTP5618型P沟道增强模式场效应晶体管（FET）的技术规格和应用。它提供了详细的电气特性、热特性、机械数据以及最大额定值，适用于信号处理、电池管理和驱动器等领域。
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MMFTP4042K P沟道增强型FET
该资料介绍了MMFTP4042K型P沟道增强模式场效应晶体管（FET）的技术规格和应用。它涵盖了静态和动态特性，包括漏源击穿电压、导通电阻、开关时间等关键参数，并提供了机械数据、热特性和封装信息。
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MD06P115 P沟道增强型FET
该资料介绍了MD06P115型P沟道增强模式MOSFET的特性。它具有快速开关时间，符合RoHS标准，适用于信号处理、电池管理和驱动器等领域。产品采用SOT-26封装，最高工作温度为150°C。
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MMFTP3401 P沟道增强型FET
该资料介绍了Diotec半导体公司的MMFTP3401型P沟道增强型场效应晶体管（FET）。该器件具有快速开关时间、低导通电阻等特点，适用于商业/工业级应用。资料提供了详细的电气特性、热特性和尺寸数据，并说明了其符合RoHS和环境法规。
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MMFTP2333 P沟道增强型FET
该资料介绍了MMFTP2333型P沟道增强型场效应晶体管（FET）的技术规格和应用。它具有低导通电阻、快速开关时间等特点，适用于信号处理、电池管理和驱动器等领域。
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MMFTP3334K P沟道增强型FET
本资料介绍了MMFTP3334K型P沟道增强模式FET的特性。该器件具有低导通电阻、高漏电流、快速开关时间等特点，适用于信号处理、电平转换器、驱动器等领域。
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【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型FET MMFTP2319，漏源电压-40V
Diotec（德欧泰克）推出的MMFTP2319是一款P沟道增强型FET，采用SOT-23（TO-236）封装，漏源电压-40V。具有漏极电流大、导通电阻小和开关速度快的特点，适合信号处理、驱动器、逻辑电平转换器等应用。
MMFTP2307A P沟道增强型FET
该资料介绍了MMFTP2307A P-Channel增强型场效应晶体管（FET）的技术规格和应用。它涵盖了静态和动态特性、热特性、最大额定值以及机械数据，适用于信号处理、电池管理和驱动器等领域。
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