YJL2305A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

时间： 2023-09-08

代理服务

技术支持

采购服务

以下内容由AI生成，仅供参考

展开

收起

■产品摘要：

●VDS:-15V
●编号：-5.6A
●RDS（ON）（VGS=-4.5V时）＜34 mohm
●RDS（ON）（VGS=-2.5V时）＜44 mohm
●RDS（ON）（VGS=-1.8V时）＜62 mohm
■概述：

●Trench Power LV MOSFET技术
●用于低RDS（ON）的高密度单元设计
●高速切换
●湿度敏感度等级1
●环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级
●无卤素

中文标题（翻译）:	YJL2305A P沟道增强型场效应晶体管
厂牌:	扬杰科技
型号:	YJL2305A 查看更多 Part#
品类:	P沟道增强型场效应晶体管查看更多
应用:	[ 电源管理器 ][ 电池保护 ][ 负载开关 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	SOT-23 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2-Mar-22
过期日期:
版本号:	Rev.3.1
文档编码:	S-E660
文件大小:	960 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

资料部分预览(2页)

- 预览已结束，资料共 7页，预览全部，请登录/注册 -

立即下载完整资料资料将发送到工作邮箱，自动同步至所有设备，方便管理

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文内容由扬杰科技品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

YJL2303A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

本资料介绍了YJL2303A型P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，具有低RDS(ON)、高密度单元设计和高速开关特性。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJL2303A,POWER MANAGEMENT,电源管理,PMW APPLICATIONS,PMW应用,LOAD SWITCH,负载开关

20-Sep-19 - 数据手册 - Rev.2.0 代理服务技术支持采购服务

YJS2305A P沟道增强型场效应晶体管

本资料详细介绍了YJS2305A型P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。该产品采用 trench power LV MOSFET技术，具备高功率和电流处理能力，低栅极电荷，适用于电池保护、电源管理和负载开关等应用。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJS2305A,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

21-Oct-24 - 数据手册 - Rev.3.2 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJL2305B P沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJL2305B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，具有高功率处理能力和低栅极电荷，适用于电池保护和电源管理等领域。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJL2305B,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

23-Oct-21 - 数据手册 - Rev.3.2 代理服务技术支持采购服务

扬杰科技MOSFET选型表

扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；

Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)

Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)

选型表 - 扬杰科技代理服务技术支持采购服务立即选型

YJM05GP06A P沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJM05GP06A型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、技术规格和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性，适用于电源管理和负载切换等领域。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJM05GP06A,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关

23-Mar-22 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJL3401AL P沟道增强型场效应晶体管

该资料详细介绍了YJL3401AL型P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、典型性能曲线和封装信息。该产品采用沟槽功率LV MOSFET技术，具有低RDS(ON)、高速开关等特点，适用于电池保护、电源管理和负载开关等应用。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJL3401AL,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

21-Oct-24 - 数据手册 - Rev.3.2 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJQ1216A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

本资料介绍了YJQ1216A型P沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，具有低RDS(ON)、高密度单元设计和高速度开关等特点，适用于电池保护、负载切换和电源管理等应用。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJQ1216A,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

30-Jan-19 - 数据手册 - Rev.2.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJL2301CQ型P沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJL2301CQ型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，具备高功率和电流处理能力，低栅极电荷等特点。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJL2301CQ,LOAD SWITCH,负载开关

5-Jul-23 - 数据手册 - Rev.1.2 代理服务技术支持采购服务

YJP085P10A P沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJP085P10A型功率MOSFET的特性，包括其电气参数、热阻、封装尺寸和应用领域。该器件采用沟槽功率MOSFET技术，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于负载开关、电机驱动控制和直流-直流转换器等领域。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJP085P10A,电机驱动控制,MOTOR DRIVE CONTROL,LOAD SWITCH,负载开关,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

28-Aug-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJS4435A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

本资料介绍了YJS4435A型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，具有低导通电阻和高速度开关等特点，适用于电池保护、负载切换和电源管理等应用。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJS4435A,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

30-Jan-19 - 数据手册 - Rev.2.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJL3407AL P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

本资料介绍了YJL3407AL型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power LV MOSFET技术，具有低导通电阻和高速度开关等特点，适用于电池保护、负载切换和电源管理等应用。

扬杰科技 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJL3407AL,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

25-Dec-18 - 数据手册 - Rev.2.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

P沟道增强型场效应晶体管HM06DP10Q

该资料详细介绍了HM06DP10Q P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（增强型场效应晶体管）的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。该晶体管采用沟槽功率MV MOSFET技术，具有低RDS(ON)、高速开关等特点，适用于电池保护、负载开关和电源管理等应用。

虹美功率半导体 - P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,HM06DP10Q,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护,LOAD SWITCH,负载开关

2023/8/1 - 数据手册代理服务技术支持采购服务