Leading Heritage & Innovation for T&M
●技术
■完整的铸造服务：
▲氮化镓/SiC高电子迁移率晶体管工艺
◆ GH15:直流至42GHz
◆GH25:直流至20GHz
■GaAs工艺
▲BES肖特基二极管到太赫兹
▲PH15/10P高电子迁移率晶体管低噪声
▲ PPH15x高电子迁移率晶体管线性功率
▲ HP07线性MESFET
▲ULRC无源
■包裹
▲QFN 3x3至8x8mm²
▲SiP/BGA
●宽带产品
■现成目录
▲ 高达44GHz的探测器
▲ 高达26GHz的交换机
▲ 线性衰减。高达45GHz
▲ 数字衰减器。高达35GHz
▲ 高达105GHz的LNA
▲ MPA高达86GHz
▲ 功率分配器至35GHz
●创新
■ 5G多频段芯片组
■ 新型毫米波LNA Q波段
■新型宽带V波段LNA
■ 超小型功率分配器
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引领T&M的传统与创新 |
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CHK015AaQIA、CHA4220-QGG、CHA6015-99F、CHT4660-QAG、CHT4012-QDG、CHS5105-QAG、CHS5104-FAB、CHS7012-99F、CHA3024-QGG、CHA7618-99F、CHE1260-QAG、CHS5100-99F、CHS2411-QDG、CHW4212-QKA、CHW4213-QAG、CHT4690-QAG、CHT3029-QEG、CHA3409-98F、CHA3080-98F、CHA3090-98F、CHM1080-98F、CHR1080a98F、CHA2362-98F、CHA2595-QDG、CHA2352-98F、CHA2159-99F、CHA2368-98F、CHA2368-NIA、CHA2180-NBA、CHA2080-98F、CHA1077a98F、CHA1008-99F、CHW4312-QKA、CHW4313-QAG、CHT4699-QDG、PPH25、PPH15X、HP07、BES、PH10、HB20M、ULRC、GH25、GH15、PH25、PH15 |
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砷化镓功率高电子迁移率晶体管、砷化镓高功率高电子迁移率晶体管、砷化镓金属半导体场效应晶体管、肖特基二极管、砷化镓低噪声高电子迁移率晶体管、InGaP VCO HBT、无源砷化镓、氮化镓高电子迁移率晶体管、氮化镓晶体管、中功率放大器、HPA、VVA、开关、低噪音放大器、建筑块、功率检测器、混频器 |
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商品及供应商介绍,传单,Flyer |
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详见资料 |
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QFN;BGA;SiP |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023/5/15 |
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2016年共享铸造报价利用非常高频率和高成本效益的UMS BES肖特基二极管工艺
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UMS功率放大器（PA）选型表
UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品，频率最高可达105GHz，带宽超过20GHz，Gain(dB)：10-38.5，Bias(mA)：30-2300，Bias(V）：2.5-30.
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Gain(dB)
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IP3(dBm)
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P-1dB OUT(dBm)
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Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHA1008-99F
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低噪声放大器
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80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
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Die
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UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型表
UMS氮化镓（GaN）功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5，Saturated Power(W)：14-180，Bias(mA)：0.1-1300，Bias(V)：30-50.
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产品型号
|
品类
|
Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
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Saturated Power(W)
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PAE(%) @ Freq(GHz)
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Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
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Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
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Ceramic Metal Flange
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BES肖特基二极管铸造工艺数据表
该资料介绍了1µm Schottky二极管工艺，适用于高频混频器或开关，频率可达数百GHz。工艺包括两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥和通孔。产品特性包括小于1.0µm的Schottky二极管、全光学工艺、典型截止频率为3THz、TaN和TiWSi电阻、GaAs电阻、MIM电容器、空气桥、通孔、晶圆厚度100µm、晶圆直径100mm。设计工具特性包括适用于ADS、MwO和Nexxim的模型、自动布局生成、可缩放的无源器件模型、可缩放的非线性二极管模型、扩散分析数据。
UMS - 1ΜM SCHOTTKY DIODE PROCESS,SCHOTTKY DIODE,肖特基二极管,1ΜM肖特基二极管工艺,BES
【产品】2-8GHz高功率射频放大器CHA6015，输出功率37.5dBm
CHA6015-99F是UMS的一款射频高功率放大器，可输出37.5dBm的功率，线性增益可达18.5dB，能覆盖2-8GHz的频率范围。该产品专为国防应用而设计，同时也能够广泛应用于微波系统中。
UMS数字衰减器选型表
UMS数字衰减器选型：Insertion Loss(dB)：2-7，Amplitude Control(dB)：15-31.5，P-1dB IN(dBm)：15-25，Number of Bits：4-6.
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产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Insertion Loss(dB)
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Amplitude Control(dB)
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P-1dB IN(dBm)
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Control voltage（V）
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Case
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Number of Bits
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Attenuation error (dB)-min
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Attenuation error (dB)-max
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CHT3029-QEG/20
|
数字衰减器
|
DC
|
35
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4.5
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15
|
20
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0/3.3 or 5
|
Die
|
4
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-0.5
|
0.5
|
PPH15X-20 0.15μm Power P高电子迁移率晶体管铸造工艺数据表
本资料介绍了0.15µm pHEMT工艺，适用于宽带高功率放大，频率可达45GHz。该工艺包含两层金属互连层、精密TaN电阻、高值TiWSi电阻、MIM电容器、空气桥和通孔，可选覆盖层。主要特性包括：典型Ft为70GHz，功率密度为800mW/mm，支持TaN和TiWSi电阻、GaAs电阻、MIM电容器（标准和高密度）、空气桥和通孔，操作Vds为6.0V，Vbds > 12.0V，晶圆厚度为70µm，晶圆直径为100mm。
UMS - 0.15ΜM PHEMT PROCESS,0.15ΜM P高电子迁移率晶体管工艺,0.15ΜM POWER PHEMT,0.15ΜM功率PHIGH电子迁移率瞬变,PPH15X-20
CHA3666-99f6-17GHz低噪声放大器GaAs单片微波集成电路
该资料介绍了CHA3666-99F是一款6-17GHz低噪声放大器，采用标准pHEMT工艺制造。具有宽带性能、低噪声系数、高增益、低功耗等特点。
UMS - 6-17GHZ低噪声放大器,6-17GHZ LOW NOISE AMPLIFIER,CHA3666-99F/00,CHA3666-99F
【技术】0.7um光栅GaAs MESFET制程HP07，经过其优化的产品功率密度可达400mW/mm
HP07是UMS推出的0.7um光栅GaAs(砷化镓) MESFET制程，主要包括两个金属互连层、精密TaN和TiWSi电阻、MIM(金属电极)电容，空气桥、传过基板的通孔、GaAs电阻等特征，旨在优化应用在20GHz以下的射频芯片的性能。
26-40GHz Wideband Low Noise Amplifier CHA2362-98F Suitable for Military to Commercial Communication Systems
The CHA2362-98F is a 26-40GHz wideband Low Noise Amplifier with a very low noise figure of 2dB and an integrated 3 stage amplifier. It features a P-1dB of 9dBm and return loss less than 13dB. This product is designed on an internal GaAs 0.1µm gate length pHEMT process.
CHA3688aQDG RoHS兼容12.5-30GHz低噪声放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
该资料介绍了CHA3688aQDG是一款12.5-30GHz的低噪声放大器（LNA），采用pHEMT工艺制造，具有宽带性能。其主要特点是频率范围为12.5-30GHz，噪声系数为2.1dB，增益为26dB，输出IP3为26dBm。产品采用RoHS合规的无引脚SMD封装。
UMS - THREE-STAGE SELF-BIASED WIDE BAND MONOLITHIC LOW NOISE AMPLIFIER MONOLITHIC CIRCUIT,LOW NOISE AMPLIFIER,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,低噪音放大器,三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路,CHA3688AQDG
利用PPH15X-20 Phemt工艺以极具吸引力的价格获得高功率和高频率的优势
UMS公司推出2024年共享晶圆厂服务，提供PPH15X-20 pHEMT工艺，适用于高功率和频率设计。该工艺支持高达45GHz的高、中功率放大器MMIC设计，适用于空间应用。PPH15X-20工艺具有高功率密度、宽频带和高效能等特点。UMS提供在线申请流程设计套件，并接受设计布局提交。价格基于电路尺寸和单位价格计算。
UMS - HIGH POWER PHEMT GAAS PROCESS,砷化镓工艺,HIGH POWER AMPLIFIER,高功率放大器,PHEMT PROCESS,GAAS PROCESS,高电子迁移率晶体管工艺,高功率高电子迁移率晶体管GAAS工艺,CHA6552-QXG,PPH15X-20,CHA6553-QXG,CHA6550-QXG,CHA6194-QXG
UMS CHA6015-99F数据手册
该资料介绍了CHA6015-99F是一款2-8GHz高功率放大器（HPA），采用pHEMT工艺制造，具有宽带性能、线性增益和较高的输出功率。适用于防御应用和各种微波应用系统。
UMS - 2-8GHZ大功率放大器,2-8GHZ HIGH POWER AMPLIFIER,射频放大器,CHA6015,CHA6015-99F/00,CHA6015-99F,办公自动化,光纤接入设备,专网通信设备,DEFENCE APPLICATIONS AND ALSO WELL SUITED FOR A WIDE RANGE OF MICROWAVE APPLICATIONS AND SYSTEMS,金融,微波通信,光纤传输,广播电视设备系统,国防工业设备,广播电视设备,国防应用，也非常适合广泛的微波应用和系统,商业,安全系统,大型游戏设备
电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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