HGQ011N04A-G Silicon N-Channel Power MOSFET

时间： 2023-10-09

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●HGQ011N04A-G是硅N沟道增强型VDMOSFET，采用高密度沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该设备适用于A负载开关和PWM应用。封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准。

●特点：
■ 快速切换
■ 低导通电阻
■ 低栅极电荷
■ 低反向传输电容
■ 100%单脉冲雪崩能量测试
■ 无卤素
●应用程序：
■适配器和充电器的电源开关电路。

中文标题（翻译）:	HGQ011N04A-G硅N沟道功率MOSFET
厂牌:	华润微电子
型号:	HGQ011N04A-G 查看更多 Part#
品类:	硅n沟道增强型VDMOSFET、硅N沟道功率MOSFET 查看更多
应用:	[ 电源开关电路 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,数据表,Data sheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	PDFN5*6 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2022/7/21
过期日期:
版本号:	2022V01
文档编码:
文件大小:	1.5 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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