IV1Q06060T4G – 650V 60mΩ SiC MOSFET

时间： 2023-10-16

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■特性
●高阻断电压，低导通电阻
●高速开关，低电容
●高工作结温能力
●非常快速和鲁棒的本征体二极管
●开尔文门输入简化驱动器电路设计

中文标题（翻译）:	IV1Q06060T4G–650V 60mΩSiC MOSFET
厂牌:	瞻芯电子
型号:	IV1Q06060T4G 查看更多 Part#
品类:	SiC场效应晶体管查看更多
应用:	[ 高压dc/dc变换器 ][ 不间断电源 ][ 电动机驱动器 ][ 太阳能逆变器 ][ 模式电源开关 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO247-4 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	June. 2022
过期日期:
版本号:	Rev. 0.5
文档编码:
文件大小:	2.2 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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IV1Q06060T4G–650V 60mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的650V 60mΩ SiC MOSFET（型号IV1Q06060T4G）的特性、应用领域和封装尺寸。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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IV1Q06060T4G–650V 60mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的650V 60mΩ SiC MOSFET（型号IV1Q06060T4G）的特性、应用领域和电学参数。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、快速且坚固的本征体二极管等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和高压直流/直流转换器等领域。

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Mar. 2023 - 数据手册 - Rev. 1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q06060T4G–650V 60mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的650V 60mΩ SiC MOSFET产品IV1Q06060T4G的特性、应用领域和封装尺寸。产品具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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2022 年 6 月 - 数据手册 - 版本 0.5 代理服务技术支持采购服务

IV2Q12030D7Z–1200V 30mΩGen2汽车级SiC MOSFET

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IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。这款MOSFET具有高压、低导通电阻的特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

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Jul. 2020 - 数据手册 - Rev0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Jul. 2020 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。

Jul. 2020 - 数据手册 - Rev0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T4型号SiC MOSFET的特性、绝对最大额定值、热数据、电气特性、典型性能曲线、反向二极管特性以及封装尺寸。主要内容包括了产品的阻断电压、导通电阻、开关速度、结温能力、内部体二极管的快速恢复特性等。

Jul. 2022 - 数据手册 - Rev1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T4型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性、绝对最大额定值、热数据、电气特性、反向二极管特性和典型性能曲线。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、高结温操作能力和快速且坚固的本征体二极管等特点。

Aug. 2021 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T4型号1200V 80mΩ碳化硅（SiC）MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、高结温操作能力以及快速且坚固的本征体二极管。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源。

Jan. 2023 - 数据手册 - Rev1.3 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性及应用。该器件具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和开关电源等领域。

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2020年7月 - 数据手册 - 版本 0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和封装尺寸。该器件具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

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2022 年 7 月 - 数据手册 - 版本 1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T4型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和封装尺寸。该器件具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,快速恢复体二极管,SIC MOSFET,IV1Q12080T4,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2023 年 1 月 - 数据手册 - 版本 1.3 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性及应用。该器件具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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2020 年 7 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务

瞻芯电子SiC MOSFET选型表

瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。

产品型号	品类	Qualification	VDS（V）	RDS(ON) （mΩ）	ID（TC=25°C）（A）	VTH（ TJ =25°C）（V）	VTH（ TJ =175°C）（V）	Qg（nC）	Operating Junction Temperature（°C）	Package
IV2Q06025T4Z	SiC MOSFET	汽车级	650V	25mΩ	99A	2.8V	2.0V	125.0nC	-55°C to 175°C	TO247-4

选型表 - 瞻芯电子立即选型

【产品】1200V 80mΩ SiC MOSFET IV1Q12080T3，采用TO247-3封装

IV1Q12080T3是瞻芯电子推出的1200V 80mΩ SiC MOSFET，采用TO247-3封装，可在-55到175℃范围内工作。它有着高压、低导通电阻、高速、寄生电容小等优良特性，可应用于光伏逆变器、UPS 电源等领域。

2020-07-14 - 新产品代理服务技术支持采购服务

萃锦SiC MOSFET具有强抗雪崩能力且损耗小，契合UPS产品长期工作的高效、节能要求

萃锦开发的SiC MOSFET通过优化元胞结构，增强抗雪崩能力。开关频率高，开关损耗小，能有效提升UPS逆变部分效率和频率。萃锦 SiC Diode 反向恢复电流小，反向恢复时间短，正向导通压降值低，损耗小。萃锦器件契合UPS产品长期工作的高效、节能要求。

2025-01-17 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【产品】1200V 80mΩ的SiC MOSFET，漏源电压1200V，可用于光伏逆变器、UPS 电源等方面

瞻芯电子推出的SiC MOSFET 芯片IV1Q12080BD的漏源电压为1200V，导通电阻典型值为80mΩ 。芯片尺寸为2.965×3.140mm²，应用广泛，主要用于光伏逆变器， UPS 电源，电机驱动等方面。

2021-11-17 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】1200V SiC MOSFET采用TO220-3封装，导通电阻典型值750mΩ，可用于UPS电源

瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12750O3 ，漏源电压为1200V，导通电阻典型值为750mΩ，推荐使用的开通栅源电压为20±0.5 V，采用TO220-3封装，能够用于UPS电源。

2021-11-18 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装

瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源、电机驱动、高压 DC/DC变换器、开关电源等。

2020-10-21 - 新产品代理服务技术支持采购服务

IV1Q12160T3–1200V 160mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12160T3型号1200V 160mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、高结温工作能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12160T3,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,MOTOR DRIVERS

Sep. 2020 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q12160T3–1200V 160mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12160T3型号1200V 160mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Sep. 2021 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12160T3–1200V 160mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12160T3型号1200V 160mΩ碳化硅（SiC）MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Jul. 2022 - 数据手册 - Rev1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12160T3–1200V 160mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12160T3型号1200V 160mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动等领域。

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2020年9月 - 数据手册 - 版本1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12160T3–1200V 160mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12160T3型号1200V 160mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动等领域。

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2020 年 9 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12160T3–1200V 160mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12160T3型号1200V 160mΩ SiC MOSFET的特性及应用。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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2021 年 9 月 - 数据手册 - 版本 1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12160T3–1200V 160mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12160T3型号1200V 160mΩ碳化硅(SiC) MOSFET的特性、应用领域和封装信息。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

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2022年7月 - 数据手册 - 版本1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q06040T3–650V 40mΩSiC MOSFET

本资料介绍了型号为IV1Q06040T3的650V 40mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、高结温工作能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于电动汽车充电器、服务器和电信电源供应单元、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q06040T3,SOLAR INVERTERS,SERVER PSU,EV CHARGERS,高压DC/DC变换器,TELECOM PSU,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动汽车充电器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,服务器PSU,电信PSU

Sep. 2021 - 数据手册 - Rev0.5 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q06040T3–650V 40mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的650V 40mΩ SiC MOSFET的特性、绝对最大额定值、热数据、电气特性、典型性能曲线、封装尺寸等信息。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容和高结温能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q06040T3,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,MOTOR DRIVERS

Jul. 2022 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q06040T3–650V 40mΩSiC MOSFET

本资料介绍了型号为IV1Q06040T3的650V 40mΩ SiC MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和高结温能力等特点，适用于电动汽车充电器、服务器和电信电源供应单元（PSU）、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等领域。

Oct. 2021 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q06040T3–650V 40mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的650V 40mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和封装尺寸。产品具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

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2022年7月 - 数据手册 - 版本1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

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Sep. 2021 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12050T3型号的1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。该MOSFET具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12050T3,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2020 年 9 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12050T3型号的SiC MOSFET器件。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Jul. 2022 - 数据手册 - Rev1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12050T3型号的1200V 50mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Sep. 2020 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12050T3型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性及应用。内容包括产品的高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12050T3,UPS电源,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,高压 DC/DC变换器

2020年9月 - 数据手册 - 版本1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本文档介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,快速恢复体二极管,SIC MOSFET,IV1Q12050T3,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2021 年 9 月 - 数据手册 - 版本 1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本文档介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号SiC MOSFET的特性、应用领域和封装尺寸。该器件具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和高压DC/DC变换器等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,快速恢复体二极管,SIC MOSFET,IV1Q12050T3,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2022 年 7 月 - 数据手册 - 版本 1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q06040T4–650V 40mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的650V 40mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力等特点，适用于电动汽车充电器、服务器电源、电信电源、太阳能逆变器等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q06040T4,SOLAR INVERTERS,SERVER PSU,EV CHARGERS,高压DC/DC变换器,TELECOM PSU,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动汽车充电器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,服务器PSU,电信PSU

Sep. 2021 - 数据手册 - Rev0.5 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q06040T4–650V 40mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的650V 40mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和相关技术数据。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器和高电压直流/直流转换器等领域。

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Jul. 2022 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q06040T4–650V 40mΩSiC MOSFET

Oct. 2021 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q06040T4–650V 40mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的650V 40mΩ SiC MOSFET产品IV1Q06040T4的特性、应用领域和封装尺寸。产品具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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2022年7月 - 数据手册 - 版本1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性及应用。产品具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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2021 年 8 月 - 数据手册 - 版本 1.1 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

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Aug. 2021 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本文档介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性及应用。该器件具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动等领域。

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2020 年 3 月 - 数据手册 - 版本 1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Mar. 2020 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本文介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T3型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该MOSFET具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12080T3,开关电源,电机驱动,光伏逆变器,UPS 电源,高压 DC/DC 变换器

2020 年 3 月 - 数据手册 - 版本 0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T3型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Mar. 2020 - 数据手册 - Rev0.5 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV1Q12080T3型号SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管。它适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源。

July. 2022 - 数据手册 - Rev1.2 代理服务技术支持采购服务

IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性、绝对最大额定值、热数据、电气特性、反向二极管特性以及典型性能曲线。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高结温能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

Mar. 2020 - 数据手册 - Rev0.5 代理服务技术支持采购服务