UNC1K207N043-T47/4 N-Channel Silicon Carbide MOSFET 1200V SiC MOSFET
●产品摘要
■VDS 1200V
■ID 58A
■RDS（ON）（@VGS=20V ID=35.6A）≤70mΩ
■RDS（ON）（@VGS=20V ID=17.8A）≤65mΩ
●特色
■坚固的半导体材料–1200V SiC
■IGBT兼容驱动功能
■非常好的温度相关稳定性
■用于优化栅极驱动器的开尔文源（KS）引脚
■雪崩强度高
■JEDEC合格
■符合RoHS标准且无卤素
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UNC1K207N043-T47/4 N沟道碳化硅MOSFET 1200V SiC MOSFET |
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数据手册,数据表,Data Sheet |
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详见资料 |
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TO-247-4 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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March 1,2022 |
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Revision March 1,2022 |
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4 MB |
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| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
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