Automotive MOSFETs Product Overview
■英飞凌汽车MOSFET产品组合提供基准质量、宽电压范围和多样化封装
▲一流的R-DS（开）性能，可提高系统效率
▲最低的开关和传导功率损耗，提高了热力系统的可靠性
▲质量和可靠性基准
▲N沟道FET的宽电压范围为24 V至300 V，P沟道FETs的电压范围为20 V至150 V
▲坚固耐用的绿色封装，可轻松处理流程
▲多样化的封装组合满足客户对
●封装尺寸最小化（在S3O8中降至11 mm2）
●高电流能力（TOLL中高达300 A）
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