Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz PXAC210552FC

时间： 2018-06-07

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■描述
▲PXAC210552FC是一种55瓦LDMOS FET，采用不对称设计，用于1805至2170 MHz频带的多标准蜂窝功率放大器应用。它具有双路径设计、输入和输出匹配以及带有无耳凸缘的热增强封装。该器件采用英飞凌先进的LDMOS工艺制造，具有优异的热性能和卓越的可靠性。

■特征
▲宽带内部匹配
▲不对称多尔蒂设计
●主要：P1dB=20 W典型
●峰值：P1dB=35 W典型值
▲连续波性能，2170 MHz，26 V
●P-1dB时的输出功率=27 W
●增益=17 dB
●效率=59%
▲集成ESD保护
▲ESD：人体模型，1B级（根据ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
▲能够在28 V、55 W（CW）输出功率下处理10:1 VSWR
▲低热阻
▲无铅且符合RoHS标准

中文标题（翻译）:	热增强高功率射频LDMOS FET 55 W，28 V，1805–2170 MHz PXAC210552FC
厂牌:	INFINEON
型号:	PXAC210552FC、PXAC210552FCV1R0XTMA1、PXAC210552FCV1R2XTMA1、ATC600F180GW250T、ATC600FQR5CW25QT、ATC600FQR8CW25QT、UMK325C7106MM-T、C8A5QZ4A、ERJ-3GEYJ10QV、X3C21P1-03S、ATC600F5R1BW25QT、ATC600F0R8CW25QT、ECJ-3VB1H104K、SK221M050ST 查看更多 Part#
品类:	热增强大功率射频LDMOS场效应管、LDMOS场效应晶体管查看更多
应用:	[ 多标准蜂窝功率放大器 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,数据表,Data sheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	H-37248-4 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2015-12-04
过期日期:
版本号:	Rev. 02
文档编码:
文件大小:	383 KB
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