晶导微电子(JingDao Microelectronics)稳压管选型表
●山东晶导微电子股份有限公司是一家专业从事制造、加工半导体芯片及材料、封装产品;电子器件和产品销售及应用技术服务;半导体器材设计;货物及技术进出口的民营股份制有限公司。
●公司注册地位于山东省济宁市曲阜市春秋东路166号,占地面积约155亩,注册资本36,154.45万元人民币。公司主营业务为二极管、整流桥等半导体分立器件产品以及集成电路系统级封装(SiP)产品的研发、制造与销售。公司通过自主创新,形成了从分立器件芯片和框架的研发设计、制造到封装测试的全套生产工艺,为国内领先的分立器件企业之一。公司依托在分立器件领域的技术积累,以自主研发的特有芯片为基础,在自创的新型封装框架结构上搭载集成电路芯片,形成了“分立器件+集成电路”封装的新型业务模式。
●公司为高新技术企业,历年来重视产品和技术的创新、研发工作。在半导体分立器件及系统级封装领域拥有多项核心技术,已经获得超160项专利。建有山东省SMD半导体器件研发工程实验室、半导体功率器件工程技术研究中心、山东省“一企一技术”研发中心、山东省企业技术中心,被评为“山东省产学研示范企业”、“2021年山东民营企业新一代信息技术行业领军10强”、“2022鲁企300强”、“2022年度山东省科技领军企业”。
●公司开发了近50种封装规格,超7,000个型号的分立器件产品及系统级封装产品,广泛应用于 LED 照明、消费类电子、汽车电子、智能电网、光伏、电源驱动、通讯等领域。
●公司建立了较为完善的质量管控体系,通过了 ISO9001 质量管理体系认证、ISO14001 环境管理体系认证、OHSAS18001职业健康安全管理体系认证以及 IATF16949 汽车标准体系认证。产品完全符合欧盟的有害环境物质管控要求(RoHS指令),并可按客户需要提供定制化的产品。
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晶导微电子(JingDao Microelectronics)三极管选型表
晶导微电子 - 三极管,BC857C,SS8050-L,BC857A,SS8050-J,BC857B,D2SB772-Y,S8550-J,S8550-L,AT-BC817-16,W2SC5200T,SS8050-H,D2SD882S-E,S8550-H,D2SD882S-R,MMBT4401,MMBTA44,D2SD882S-Q,MMBT2907A-L,MMBTA42,BC856A,D2SD882S-P,MMBT4403,MJD41C,S9015-L,S9015-H,F2SB688,AT-BC817-25,C2SA1943,BC817-25,AT-MMBT5551-L,AT-MMBT5551-H,F2SC5196,AT-MMBT2907A-H,C2SC5196,MJD42C,SS8550-H,SS8550-J,AT-MMBT2907A-L,SS8550-L,AT-D2SD690,S8050-H,S8050-J,S8050-L,C2SB688,MMBT2907A-H,F2SA1939,AT-D2SD882-E,BC817-40,S9018-H,S9014-L,BC807-16,AT-D2SD882-P,AT-D2SD882-Q,AT-D2SD882-R,AT-BC807-40,S9014-H,W2SB688,W2SC5196,S9018-L,D2SB772S-R,F2SD718,F2SA1943,D2SB772S-O,D2SB772S-Y,W2SA1943T,MMBT2222A-H,AT-BC807-16,3DD13003-A,3DD13003-B,MMBT2222A-L,3DD13003-E,3DD13003-F,MMBTA92,3DD13003-C,3DD13003-D,3DD13003-G,AT-MJD31C,MMBT3904,D2SD882-E,BC807-25,MMBT3906,D2SD882-P,C2SA1943T,D2SD882-Q,W2SD718,D2SB772S-GR,2SB1198Q,2SB1198R,W2SA1939,D2SD882-R,AT-S9015-L,BC848C,AT-BC807-25,S9013-H,MMBT5401-H,2SA1037S,2SC1623-L5,AT-MMBT5401,2SC1623-L6,2SC1623-L4,BC848A,F2SC5200,S9013-J,BC848B,S9013-L,MMBT5401H,AT-MMBT3904,2SC1623-L7,F2SC5200T,MMBT5401-L,2SA1037Q,2SA1037R,W2SA1943,AT-MMBT3906,2SC2412R,2SC2412Q,W2SC5200,C945-H,BC847B,2SC2412S,BC847C,C3DD13007,C945-L,C3DD13009,BC847A,MMBT5551-H,MMBT5551-L,BC807-40,C2SA1939,F2SA1943T,BC817-16,MMBT5551H,S9012-H,BC846A,BC858B,BC846B,BC858C,AT-S9016-H,BCW66G,S9012-J,BC858A,C2SC5200,S9012-L,D2SB772-R,D2SB772-GR,C2SC5200T,D2SB772-O,2SD1782R,AT-BC817-40,2SD1782Q,C2SD718
MM1W3V3L至MM1W330L硅平面齐纳二极管
该资料介绍了山东晶导微电子股份有限公司生产的硅平面齐纳二极管系列产品。这些二极管的功率耗散最大为1瓦,具有宽范围的齐纳反向电压(3.3V至330V),采用小型塑料封装,适用于表面贴装设计。
晶导微电子 - 硅平面齐纳二极管,SILICON PLANAR ZENER DIODES,MM1W3V6L,MM1W4V7L,MM1W180L,MM1W82L,MM1W62L,MM1W30L,MM1W10L,MM1W22L,MM1W100L,MM1W330L,MM1W120L,MM1W7V5L,MM1W18L,MM1W6V8L,MM1W8V2L,MM1W3V9L,MM1W280L,MM1W33L,MM1W200L,MM1W13L,MM1W220L,MM1W240L,MM1W260L,MM1W5V6L,MM1W135L,MM1W20L,MM1W3V3L,MM1W5V1L,MM1W12L,MM1W56L,MM1W110L,MM1W6V2L,MM1W24L,MM1W68L,MM1W36L,MM1W16L,MM1W150L,MM1W9V1L,MM1W300L,MM1W91L,MM1W51L,MM1W75L,MM1W43L,MM1W11L,MM1W165L,MM1W4V3L,MM1W47L,MM1W15L,MM1W27L,MM1W39L
晶导微电子电压基准器选型表
晶导微电子提供以下电压基准器的参数选型,VKA_Min(V):VREF,VKA_Max(V):18,36,IKA_Min(mA):0.1,1。
产品型号
|
品类
|
VKA_Min(V)
|
VKA_Max(V)
|
IKA_Min(mA)
|
IKA_Max(mA)
|
Precision
|
VREF_Min(V)
|
VREF_TYP(V)
|
VREF_Max(V)
|
ZKA_TYP(Ω)
|
ZKA_Max(Ω)
|
PD(mW)
|
Marking
|
Tj(℃)
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
JD431AWD
|
电压基准器
|
VREF
|
36
|
1
|
100
|
±0.5%
|
2.488
|
2.5
|
2.512
|
0.3
|
0.5
|
370
|
J431A
|
150℃
|
SOT-23
|
下载链接
|
终版
|
选型表 - 晶导微电子 立即选型
晶导微电子三极管选型表
晶导微电子提供以下三极管的参数选型,polarity:PNP,NPN,NPN/PNP,PC(W):0.1~33。
产品型号
|
品类
|
polarity
|
PC(W)
|
IC(A)
|
VCBO(V)
|
VCEO(V)
|
VEBO(V)
|
hFE_Min
|
hFE_Max
|
@VCE(V)
|
@IC(A)
|
VCE(sat)_Max(V)
|
@IC(A)
|
fT(MHz)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
2SA1037S
|
三极管
|
PNP
|
0.2
|
-0.15
|
-60
|
-50
|
-6
|
270
|
560
|
-6
|
-0.001
|
-0.5
|
-0.05
|
140
|
-55℃-150℃
|
FS
|
SOT-23
|
下载链接
|
终版
|
选型表 - 晶导微电子 立即选型
晶导微电子浪涌抑制器选型表
晶导微电子提供以下浪涌抑制器的参数选型,Io(A):0.8,1,IFSM(A):20,30,35。
产品型号
|
品类
|
Io(A)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
@IF(A)
|
IR(uA)
|
@VR(V)
|
Cj(pF)
|
VRMS(V)
|
VBR(V)
|
VDC(V)
|
VC(V)
|
Ipeak(A)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
BP30CUM10B-10
|
浪涌抑制器
|
1
|
30
|
1.1
|
1
|
5
|
1000
|
7
|
18
|
28.5~31.5
|
25.6
|
41.4
|
15.95
|
-55℃-150℃
|
BP30C10
|
UMBT
|
下载链接
|
终版
|
选型表 - 晶导微电子 立即选型
晶导微电子MOSFET选型表
晶导微电子提供以下MOSFET的参数选型,VDSS(V):-100~1500,Crss(pF):0.5~900。
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)
|
VGSS(V)
|
ID(A)
|
VGSth_Min(V)
|
VGSth_Max(V)
|
Rdson_Typ(mΩ)
|
Rdson_Max(mΩ)
|
@VGS/IDS (V)/(A)
|
Ciss(pF)
|
Coss(pF)
|
Crss(pF)
|
polarity
|
Tech
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
V2N50
|
MOSFET
|
500
|
±30
|
2
|
2
|
4
|
5000
|
7000
|
10/1
|
156
|
24
|
2.2
|
N
|
Planar
|
-55℃-150℃
|
V2N50
|
TO-251W
|
下载链接
|
终版
|
选型表 - 晶导微电子 立即选型
晶导微电子静电防护管选型表
晶导微电子提供以下静电防护管的参数选型,polarity:Bi,Uni,Bi(回扫),Cj(pF):0.25~1500。
产品型号
|
品类
|
polarity
|
VRWM(V)
|
VBR_Min(V)
|
Cj(pF)
|
PPP(W)
|
IR(uA)
|
VC_Max(V)
|
@IPP tp=8/20us(A)
|
VED Air(KV)
|
VED Contact(KV)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
ESDB24V0T2P
|
静电防护管
|
Bi
|
24
|
26.7
|
30
|
350
|
1
|
52
|
6
|
±25
|
±15
|
-55℃-150℃
|
24P
|
SOT-23
|
下载链接
|
终版
|
选型表 - 晶导微电子 立即选型
晶导微电子快恢复二极管选型
晶导微电子提供以下快恢复二极管的参数选型,Io(A):0.2~80,VRRM(V):50~8000。
产品型号
|
品类
|
Io(A)
|
VRRM(V)
|
IFSM(A)
|
VF(V)
|
@IF(A)
|
IR(uA)
|
@VR(V)
|
trr(ns)
|
Tj(℃)
|
Marking
|
Package Outline
|
链接
|
状态
|
SGP1RW
|
快恢复二极管
|
1
|
50
|
15
|
1.3
|
1
|
5
|
50
|
150
|
-55℃-150℃
|
1R
|
SOD-123
|
下载链接
|
终版
|
选型表 - 晶导微电子 立即选型
一文详解稳压管如何稳压?
稳压二极管(齐纳二极管)是一种重要的电子元器件,广泛应用于电压稳压、过电压保护等电路中。稳压二极管的核心特性是能够在其击穿电压附近保持稳定的电压输出,因此在许多电源电路中扮演着至关重要的角色。本文MDD将探讨稳压管是如何实现稳压的,以及其工作原理和应用方式。
如何快速检测稳压管的稳压值?
MDD的稳压管是广泛应用于电压稳定和过电压保护电路中的关键元件。它通过在特定的反向电压下维持稳定电压,从而对电路中的电压进行稳压控制。稳压管的稳压值是其重要的电气特性,通常指其在反向击穿区域的稳压电压。了解如何快速检测稳压管的稳压值,对于确保电路正常工作、提高设备可靠性至关重要。
JESTEK江智稳压二极管选型表
JESTEK江智提供以下稳压二极管的参数选型,PD(W):0.2~3,VZT @ IZT (V)Min:1.8~289。
产品型号
|
品类
|
PD(W)
|
VZT @ IZT (V)Min
|
VZT @ IZT (V)Nom
|
VZT @ IZT (V)Nom Max
|
IR_MAX(uA)
|
封装
|
BZV55C6V2
|
稳压二极管
|
0.5
|
5.8
|
6.2
|
6.6
|
0.1
|
LL-34
|
选型表 - JESTEK 立即选型
【技术】时科科普什么是三端稳压管
三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时,在一定的电流范围内(或者说在一定功率损耗范围内),端电压几乎不变,表现出稳压特性,因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。本文时科将为您科普三端稳压管的分类、作用及原理。
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可定制无线位移传感器量程范围10~600mm,采用了无线传输方式,可远程自动实时检(监)测位移量值,准确度级别(级):0.2、0.5;内置模块:无线传输模块、供电模块;传输距离L(m):可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
最小起订量: 1pcs 提交需求>

配备KEYSIGHT网络分析仪,可测量无线充电系统发射机/接收机线圈的阻抗,电感L、电阻R、电感C以及品质因数Q,仿真不同充电负载阻抗下的无线充电传输效率。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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