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MPSA06 TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

2023-12-15 长晶科技 数据手册 英文


■特点
●功率放大器

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【产品】长晶科技 MPSA06-TA系列 达灵顿管

产品特性:1.集电极-基极电压:80V 2.集电极-发射极电压:80V 3.发射极-基极电压:4V 4.集电极电流(连续):0.5A 5.集电极功率耗散:625mW 6.热阻(结到环境):200°C/W 7.工作温度范围:-55°C至150°C;

系列型号: MPSA06-TA_>100_TO-92

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MPSA06 TO-92塑封晶体管

2021/03/24  - 数据手册 本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的TO-92封装的MPSA06型NPN晶体管。该晶体管具有集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压等电气参数,适用于各种电路设计和应用。

长晶科技  -  塑料封装晶体管,TRANSISTOR (NPN),晶体管(NPN),PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,MPSA06-TA,MPSA06

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产品停产通知书(End of Life)

2025-05-16  - 产品变更通知及停产信息

长晶科技  -  CJMNT30,EMY1,MPSA43,CJMNT34,BAS70-06T,CESD7V0D7,CJB95N07,BAW56T,CJX3152P,2SD2137,BAL99,2SB561,1SS370,KSA916,2SD468,1SS401,2SB562,STC128,2SD1757K,CESDLC5V0G3,2SD789,NST3946,CJB92N07,MJE170,BC808,DAP222M,2SA1204,BAT54M,2SD1758,RB731XN,KTA1281,8550SS,MMBD4148ST,CJ6208SP,2SD2097,ESDM5V0F1,2SD874,MJD2955,2SB892,UMF5N,ESD15VAE1,BAS40T,BC818,FMMT4124,KTA1275,KTA1274,RB421D,KTC4075,KTA1271,KTA1270,BAT720W,RB481K,2SB1182,BATS4JW,2SD400,CMPSH-3,2SC1627A,2SD602,2SB1412,MJD3055,2SB1658,KSC2316,UML6N,2SC3330,2SD1616,2SC4003,CJMNT32-W,2SC2500,CMPSH-3A,EMZ8,2SA1267,KSC2331,RB480K,BAS40DW-05,2N7002X,2SD2142,KTA1267,BAS70W,KSA931,2SA8545,CMPSH-3S,EMF5,MPSA93,CJ7203KDW,RB480V,2SC5343,MMBD4148AT,2SC1383

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【产品】长晶科技 MPSA06系列 晶体管

产品特性:1.集电极-基极电压:80V 2.集电极-发射极电压:80V 3.发射极-基极电压:4V 4.集电极电流(连续):0.5A 5.集电极功率耗散:625mW 6.热阻(结到环境):200°C/W 7.工作温度范围:-55°C至150°C;

系列型号: MPSA06_100-400_TO-92; MPSA06-TA_>100_TO-92

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MPSA55 TO-92塑封晶体管

2023/11/20  - 数据手册 本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的MPSA55型TO-92封装晶体管。该晶体管适用于通用放大器,具有PNP结构,具备一定的电压和电流承受能力,并提供了详细的电学参数和应用信息。

长晶科技  -  TRANSISTOR,塑料封装晶体管,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,晶体管,MPSA55,MPSA55-TA

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【产品】长晶科技 MPSA93系列 TRANSISTOR (PNP) Plastic-Encapsulate Transistors

产品特性:1.封装类型:TO-92 2.包装方式:批量(1000pcs/袋)或卷带(2000pcs/箱) 3.最大集电极-基极电压:-200V 4.最大集电极-发射极电压:-200V 5.最大发射极-基极电压:-5V 6.集电极电流:-0.5A 7.集电极功率耗散:625mW 8.热阻从结到环境:200℃/W 9.工作温度范围:-55℃至+150℃ 10.典型直流电流增益:hFE(1)=25, hFE(2)=40, hFE(3)=25 11.集电极-发射极饱和电压:VCE(sat)=-0.4V 12.基极-发射极饱和电压:VBE(sat)=-0.9V 13.转换频率:fT=50MHz;

系列型号: MPSA93_>40_TO-92; MPSA93_>40_TO-92

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【产品】长晶科技 MPSA55系列 TRANSISTOR (PNP) Plastic-Encapsulate Transistors

产品特性:1.封装类型:TO-92 2.集电极-基极电压:-60V 3.集电极-发射极电压:-60V 4.发射极-基极电压:-4V 5.连续集电极电流:-0.5A 6.集电极功率耗散:625mW 7.热阻(结到环境):200°C/W 8.工作温度范围:-55℃至150℃;

系列型号: MPSA55_>100_TO-92; MPSA55-TA_>100_TO-92; MPSA55_>100_TO-92

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MPSA93 TO-92塑封晶体管

2023/11/29  - 数据手册 本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的MPSA93型PNP晶体管。该晶体管适用于通用放大器,具有TO-92封装,提供批量包装和卷带包装两种形式。资料包含了最大额定值、典型特性曲线、封装尺寸图和建议焊盘布局等信息。

长晶科技  -  TRANSISTOR,塑料封装晶体管,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,晶体管,MPSA93-TA,MPSA93

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【产品】长晶科技 MPSA55-TA系列 达灵顿管

产品特性:1.封装类型:TO-92 2.集电极-基极电压:-60V 3.集电极-发射极电压:-60V 4.发射极-基极电压:-4V 5.连续集电极电流:-0.5A 6.集电极功率耗散:625mW 7.热阻(结到环境):200°C/W 8.工作温度范围:-55℃至150℃;

系列型号: MPSA55-TA_>100_TO-92

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MPSA29 TO-92塑封晶体管

2023/11/22  - 数据手册 本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的MPSA29型NPN达林顿晶体管。该产品采用TO-92塑料封装,具有高电流放大能力,适用于各种电路设计。

长晶科技  -  TRANSISTOR,塑料封装晶体管,DARLINGTON TRANSISTOR,达林顿型晶体管,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,晶体管,MPSA29,MPSA29-TA

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【产品】长晶科技 MPSA44系列 晶体管

产品特性:1.高断电电压:集电极-基极电压为400V,发射极-基极电压为6V。 2.连续集电极电流:0.3A。 3.集电极功率耗散:625mW。 4.热阻:从结到环境的200°C/W。 5.工作温度范围:-55°C至150°C。 6.封装类型:TO-92。;

系列型号: MPSA44-TA_100-200_TO-92; MPSA44_100-200_TO-92

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MPSA42 TO-92塑封晶体管

2023/11/22  - 数据手册 本资料介绍了江苏长景电子科技有限公司生产的MPSA42型NPN晶体管。该晶体管采用TO-92封装,具有高电压和高电流增益的特点,适用于各种电路设计和应用。

长晶科技  -  TRANSISTOR,塑料封装晶体管,PLASTIC-ENCAPSULATE TRANSISTORS,晶体管,MPSA42,MPSA42-TA

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长晶科技达林顿管&晶体管&双晶体管选型表

选型表  -  长晶科技 长晶科技提供如下达林顿管&晶体管&双晶体管的技术选型:VCEO(V)范围:-400~+400;PCM范围:150(mW)~2(W);IC范围:-10(A)~10(A);VCBO(V)范围:-400~+400;VEBO(V)范围:-10~+15,具有PNP、NPN两种Polarity模式可选.....长晶科技的达林顿管&晶体管&双晶体管有TO-126、TO-220-3L、DFNWB3×2-8L、SOT-223、SOT-23等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号
品类
Status
hFE@VCE(V)
hFE@IC
VEBO(V)
hFE MIN
VCEsat(V)
VCE@IB
VCBO(V)
VCE@IC
Polarity
VCEO(V)
IC
PCM
Package
hFE MAX
MPSA06_TO-92
晶体管
Active
1
0.1(A)
4
100
0.25
0.01(A)
80
0.1(A)
NPN
80
0.5(A)
0.625(W)
TO-92
400
立即选型
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Plastic-Encapsulate Bridge Rectifier选型表

选型表  -  长晶科技 Plastic - Encapsulate Bridge Rectifier(塑料封装桥式整流器)的选型,产品型号多样,如 RMSB40M_UMSB、GBP310_GBP 等。可选参数有 I (AV)(范围约 3.0 - 4.0 A)、VRRM(范围 600 - 1000 V)、IFSM(75 - 110 A)等。封装类型包括 UMSB、GBP 等。该系列产品可满足不同电气参数需求,适用于相关整流电路应用场景。

产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
I(AV)(A)
VRRM(I=IRM)(V)
IFSM(A)
VFM(V)
IRM@TA=25℃(µA)
RMSB40M_UMSB
Plastic-Encapsulate Bridge Rectifier
UMSB
4
1000
100
1.3
5
立即选型
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长晶科技数字晶体管选型表

选型表  -  长晶科技 长晶科技提供如下数字晶体管的技术选型:IO(mA)范围:-100~+500;VCC(V)范围:-50~+50;VO(on)(V)范围:-0.3~+0.3;Pc(mW)范围:+100~+625.....具有PNP、NPN两种Polarity模式可选,长晶科技的数字晶体管有TO-92、SOT-353、SOT-363、SOT-523等多种封装形式,可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

产品型号
品类
Status
Polarity
IO(mA)
VCC(V)
Gi
VO(on)(V)
R1(Ω&KΩ)
Package
UMH14N_SOT-363
双数字晶体管
Active
NPN
100
50
100
0.3
47+(KΩ)
SOT-363
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