SCX65R380C 650V N-CHANNEL POWER MOSFET
●概述
■功率MOSFET采用先进的超级结技术制造。由此产生的器件具有极低的导通电阻,特别适合于需要高功率密度和卓越效率的应用。
●特点
■VDS=650V,ID=11A
■VDS,min@tj(最大值)=700V
■RDS(打开)
▲典型值:320mΩ@VGS=10V,ID=5.5A
▲最大值:380mΩ
SCX65R380C 650V N沟道功率MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-252-2L;TO-220-3L;TO-220F-3L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023/4/20 |
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Rev 1.1 |
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1.1 MB |
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