如何於應用中高效地測量出氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）的性能
■隨著基於eGaN FET的轉換器的電路性能不斷提高，對電路性能的測量的要求也在提升。 本文比較各種測量技術及對應用中的高性能氮化鎵場效應電晶體的性能進行評估。
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eGaN® FET和集成电路的组装
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不断发展的氮化镓®FET电源转换生态系统应用笔记
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
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28
|
150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介
本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
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【应用】利用eGaN®FET设计超薄高效的48V转20V、250W DC-DC转换器，总系统效率峰值为97.8％
基于EPC的GaN FET的多电平降压拓扑可用于设计超薄且高效的DC-DC转换器。使用eGaN FET构建的48V转20V/250W三级降压转换器的峰值效率为97.8％，总厚度仅为5mm。多级拓扑允许使用具有低电感值的薄电感器。eGaN FET不仅减小了封装面积，而且还具有快速开关功能，从而提高了整体功率效率。
【应用】采用eGaN®FET设计的紧凑型48V-12V、900W LLC谐振转换器，效率超过98%
本文展示了采用EPC（宜普电源转换公司）的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET) 诸如EPC2053和EPC2024的48V - 12V、900W、1MHz LLC DC/DC转换器（DCX），可实现超过1500W/in3功率密度，这是由于eGaN FET具备低栅极电容、低输出电荷和低导通阻抗等优势。
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN®FET,半桥开发板,DC/DC转换器,氮化镓场效应晶体管,集成电路,EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124,OLED电视,LED电视,48 V数据中心,开关模式电源,计算,家庭影院系统,LED照明,电信系统,适配器,服务器,游戏,图像PC,网络通信
【应用】采用eGaN®FET设计紧凑型48V转12V/900W的LLC谐振转换器，效率超98％
LLC谐振转换器是提供高功率密度和高效率解决方案的首选。具有超低导通电阻和寄生电容的eGaN FET可以显着降低损耗，这有利于LLC谐振转换器的设计，而硅基MOSFET很难做到。本文展示了基于EPC的eGaN FET（例如EPC2053和EPC2024）设计的48V转12V/900W/1 MHz的LLC DC-DC变压（DCX）转换器。
面向直流无刷（BLDC）电机的eGaN® FET 及集成电路
本文介绍了eGaN®技术在直流无刷电机（BLDC）应用中的优势，尤其是在工业自动化、汽车制造和医疗设备领域的应用。eGaN® FET相比传统硅基MOSFET具有更高的开关速度、更低的开关损耗和更小的噪声，适用于线性电机、伺服电机、机器人驱动器等。文章还提供了EPC公司推荐的eGaN® FET器件型号及其配置参数。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,EGAN®FET,EGAN®集成电路,氮化镓晶体管,EPC2012C,EPC9003C,EPC2218,EPC2016C,EPC9049,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC9047,EPC9087,EPC9040,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2024,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2001C,EPC2106,EPC2306,EPC9010C,EPC2065,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC2067,EPC2066,EPC2022,EPC90145,EPC90142,EPC9055,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC9093,EPC9050,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2035,EPC2010C,EPC9001C,EPC2038,EPC2037,EPC2034C,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2071,EPC23101,EPC2030,EPC23102,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2033,EPC90137,EPC9060,EPC90138,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC90139,EPC9005C,EPC9004C,EPC9048C,EPC2015C,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC2040,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC2044,EPC9031,EPC90123,EPC90120,EPC9032,EPC9033,EPC90128,无刷直流电动机,电子辅助转向系统,汽车,直流无刷电机,EPS,进给传动,伺服电机,医护手术机械人,FEED DRIVE,工业自动化,机械人,进给驱动器,BLDC,线性电机,挤压机驱动电机,工厂传送带
EPC Announces EPC9193 eGaN® FET Based 3-Phase BLDC Motor Drive Inverter for Low-Cost E-Bikes, Drones and Robotics
EPC announces the availability of the EPC9193, a 3-phase BLDC motor drive inverter using the EPC2619 eGaN® FET. The EPC9193 operates with a wide input DC voltage ranging from 14V and 65V, and it enhances motor system performance, range, precision, torque, all while lowering overall system cost.
【产品】基于eGaN®FET的50W、12V/60V升压转换器，为笔记本电脑和显示器的背光提供高效低成本解决方案
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出双向降压或反向升压转换器演示板（EPC9162）。该演示板用于同步转换器时采用100V的EPC2052器件，以及用于同步自举FET电路时，采用EPC2038器件。
【产品】面向电动自行车、eMotion等，EPC推出基于eGaN®FET、具备卓越驱动性能的3相BLDC电机驱动逆变器
宜普电源转换公司（EPC）宣布推出1 kW、3相BLDC电机驱动逆变器(EPC9145)，该板采用具有2.2 mΩ最大导通电阻和80 V最大器件电压的EPC2206 eGaN FET，专为电动自行车、eMotion、无人机和机器人电机应用而设。
面向48 V降压转换器的 eGaN®FET及集成电路应用简介
本文介绍了基于eGaN®技术的48V降压转换器，强调了其优势，包括提高输出电流、缩减尺寸、超低QGD和QRR，以及高频开关等。文章还探讨了数据中心电源架构的优化，通过eGaN FET及集成电路实现单级转换，提高效率并降低成本。此外，文章提供了多种eGaN FET及集成电路的型号和应用信息，以及相关的演示电路和评估板。
EPC - 半桥并联评估板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN®FET,EGAN®集成电路,EGAN FET,单片半桥氮化镓器件功率级评估板,EGAN集成电路,演示板,半桥式开发板,1/8砖式转换器,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,氮化镓场效应晶体管,EPC2071,EPC2052,EPC2051,EPC2252,EPC2031,EPC9041,EPC90156,EPC90153,EPC90137,EPC9061,EPC9040,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2204,EPC2306,EPC2206,EPC2107,EPC9115,EPC9038,EPC9039,EPC2021,EPC2065,EPC2020,EPC2361,EPC2100,EPC9179,EPC9059,EPC2088,EPC9037,EPC9510,EPC90122,EPC9097,EPC90145,EPC90123,EPC90142,EPC9055,EPC9092,EPC90146,EPC9091,EPC2619,48 V降压转换器
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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电子商城
服务市场
支持 3Hz ~ 26.5GHz射频信号中心频率测试；9kHz ~ 3GHz频率范围内Wi-SUN、lora、zigbee、ble和Sub-G 灵敏度测量与测试，天线阻抗测量与匹配电路调试服务。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址：深圳/苏州 提交需求>
可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数，每段亮度0.8~30mcd，主波长470~640nm，电压2~10.2V。
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