WMJ9N90D1B WML9N90D1B WMK9N90D1B 900V 9A 0.88Ω N-ch Power MOSFET
●描述
■WMOS D1是Wayon的第一代VDMOS系列,可显著降低导通电阻和超低栅极电荷,适用于需要高功率密度和高效率的应用。它非常坚固,符合RoHS标准。
●特征
■类型。RDS(开)=0.88Ω@VGS=10V
■100%雪崩测试
■符合RoHS
WMJ9N90D1B WML9N90D1B WMK9N90D1B 900V 9A 0.88ΩN沟道功率MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-247;TO-220;TO-220F |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2024/1/11 |
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Rev.3.1 |
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1.6 MB |
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产品型号
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品类
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Description
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Package
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BVDSS(V)
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RDS(on) (Ω) @VGS=10V(max.)
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ID (A) @TA=25℃
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VGS (V)
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VGS(th) (V) (Typ.)
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WMO3N25D1
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N沟道功率MOSFET
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N-Channel VDMOS D1
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TO-252
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250
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2.1
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3
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30
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1.5
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