MS4N1350HGB2 MOS RoHS (NTEK) CERTIFICATE of Compliance (DGC230424030ZD05A)
●欧洲议会和理事会关于限制在电气和电子设备中使用某些有害物质的RoHS指令(2011/65/EU)和修正案2015/863/EU
●申请人:有限公司。
●产品名称:MOS
●合格证书基于上述产品的测试程序或评估。兹证明上述产品符合RoHS指令(2011/65/EU)和欧洲议会关于限制使用某些有害物质[铅(Pb)、汞(Hg)、镉(Cd)、六价铬(Cr(VI))、多溴联苯(PBBs)和多溴二苯醚(PBDEs),二(2-乙基己基)-电气和电子设备中的邻苯二甲酸酯(DEHP)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸丁苄酯(BBP)、二异丁基邻苯二酯(DIBP)]。
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MASPOWER(麦思浦)MOSFET选型表
MASPOWER(麦思浦)提供如下MOSFET的技术选型,Vds [V]范围:-200~+4700;ld [A]范围:-26~+340;Vgs [V]范围:-12/+12~-30/+30;Rds(on) [Q]范围:+0.0016~+39;Qg [nC]范围:+5.4~+450;Qgs [nC]范围:+0.7~+135;Qgd [nC]范围:+1~+226。MASPOWER的MOSFET拥有SOT-8、SOT223、TO-252、TO-220等多种封装形式可以广泛用于焊接设备、工业控自动化、新能源、电动汽车、电源、智能物联等领域。
产品型号
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品类
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PKG
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Vds [V]
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ld [A]
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Vgs [V]
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Rds(on) [Q]
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Qg [nC]
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Qgs [nC]
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Qgd [nC]
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MS100N03IDD0
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MOSFET
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TO-252
|
30
|
120
|
-20/+20
|
0.0036
|
89
|
9
|
16
|
-65V/-18A P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSF18P65 is Well-suited for High Current Load Applications
The MSF18P65 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is well suited for high current load applications.
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65V/18A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MSF18N65 Provide Excellent RDS(ON) with Low Gate Charge
The MSF18N65 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
麦思浦半导体携MOS/IGBT/FRD系列产品亮相慕尼黑上海电子展,聚焦高压直流电源、光伏逆变器、充电桩、新能源等领域
慕尼黑上海电子展于7月11日在上海盛大启幕,麦思浦半导体是一家专注功率半导体研发设计、制造与品牌营销的国家高新技术企业,聚焦高压直流电源、通信电源、光伏逆变器、充电桩、新能源等领域。
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2022年11月17日,世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)与功率半导体供应商——深圳市麦思浦半导体有限公司(下称“麦思浦”)签署授权分销协议,代理其旗下IGBT、MCU、MOSFET、FRD Modules
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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可定制分流器电阻范围20uΩ~100uΩ,可自由设计铜排形状尺寸,电镀:镀锡/镀镍。支持RoHS指令 、AEC-Q200。认证资格:IATF16949;ISO9001;检测精度:0.1%。
最小起订量:100个 提交需求>
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