SDW05-01FTG 30A Unidirectional Discrete TVS, General Purpose ESD Protection

Littelfuse（力特）TVS Diode Arrays (SPA® Diodes) General Purpose Surge Protection - SP11xx Series SP11xx Series Discrete Unidirectional TVS Diode 数据手册

该资料介绍了Littelfuse公司生产的SP11xx系列单向TVS二极管（SPA®二极管），这是一种通用浪涌保护器件。这些二极管采用专有的硅雪崩技术制造，旨在为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高水平的保护。它们可以安全地吸收重复的ESD冲击，并具有低钳位电压和低漏电流等特点。

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AQ1205-01LTG系列汽车级7A、7pF TVS二极管阵列，采用SOD523封装，用于保护通用I/O

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Littelfuse（力特）TVS Diode Arrays (SPA® Diodes) Low Capacitance ESD Protection - SP3002 Series SP3002 Series 0.85pF Diode Array 数据手册

该资料介绍了SP3002系列低电容TVS二极管阵列（SPA®二极管），这是一种用于保护电子设备免受破坏性静电放电（ESD）影响的器件。这些二极管具有超低的电容和额外的齐纳二极管，采用专有的硅雪崩技术制造，以提供高水平的保护。它们能够在不降低性能的情况下安全吸收重复的ESD冲击。

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AQxx-01FTG Series 450W Unidirectional TVS Diode

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AQXX-01FLTG系列汽车级TVS二极管阵列200 W单向分立式TVS，采用SOD323FL封装，适合汽车应用

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AQ1003系列-30pF 30kV单向离散TVS

该资料介绍了SP1003系列和AQ1003系列的TVS二极管阵列（SPA®二极管），主要用于通用静电放电保护。这些二极管采用专有的硅雪崩技术制造，能够在±30kV的接触放电下安全吸收重复的静电放电冲击，同时具有低漏电流和高浪涌电流承受能力。产品特性包括小型化设计、符合行业标准、适用于多种电子产品。

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SLVU2.8-8 Series 2.8V 30A TVS Array

该资料介绍了SLVU2.8-8系列TVS二极管阵列（SPA®二极管），这是一种用于保护低电压CMOS设备免受静电放电和雷电引起的瞬态干扰的器件。它具有低负载电容、低漏电流和高浪涌吸收能力，适用于多种电子设备和系统。

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SC3530-01LTG 7V，0.3pF，22kV，SOD523，单向TVS，超低电容ESD保护TVS二极管阵列（SPA®二极管）规格书

该资料为Littelfuse公司生产的SC3530-01LTG单向TVS二极管阵列（SPA®二极管）的数据手册。该产品提供超低电容、单向保护，用于防止电子设备遭受破坏性静电放电（ESD）。其主要特点包括超低电容（0.3pF@3GHz）、±22kV的ESD耐受电压、低漏电流（100nA）以及适用于多种高速数据接口，如V-By-One、HDMI、USB3.0、USB2.0和IEEE1394。

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SC11xx系列分立式单向TVS二极管TVS二极管阵列（SPA®二极管）通用浪涌保护

该资料介绍了Littelfuse公司生产的SC11xx系列单向TVS二极管阵列（SPA®二极管），这是一种通用浪涌保护器件。这些二极管采用专有的硅雪崩技术制造，旨在为可能遭受破坏性静电放电（ESD）的电子设备提供高水平的保护。它们能够安全地吸收重复的ESD冲击，并具有低钳位电压和低漏电流等特点。

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SP1212 12A分立单向TVS二极管

该资料为Littelfuse公司生产的SP1212型号单向TVS二极管的数据手册。该二极管采用专有的硅雪崩技术制造，提供高达±30kV的静电放电（ESD）保护水平，适用于电子设备。它能够安全吸收重复的±30kV ESD冲击，并符合IEC 61000-4-2标准。此外，每个TVS可以安全地耗散12A的8/20μs浪涌事件，符合IEC 61000-4-5第二版标准。

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SC1006-01LTG 6V，30kV，5A，SOD523，单向TVS，通用ESD保护TVS二极管阵列（SPA®二极管）规格书

该资料详细介绍了SC1006-01LTG单向TVS二极管，这是一种基于专有硅雪崩技术的ESD保护器件。该二极管提供高水平的ESD保护，能够安全吸收重复的±30kV ESD冲击，并安全地耗散5A 8/20μs的浪涌事件。资料还提供了电气特性、封装尺寸、焊接参数和应用信息。

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TVS二极管阵列SP1250-01ETG

SP1250-01ETG是一款50A单向TVS二极管，采用SOD-882封装，具有低钳位电压8.7V和低漏电流0.02μA的特点。该二极管采用专有硅雪崩技术制造，提供高ESD保护水平，可安全吸收±30 kV的重复ESD冲击，且性能无退化。其主要特点包括高浪涌能力、低漏电流和AEC-Q101认证，适用于多种市场和应用，如VBUS保护、便携式电池、开关/按钮、测试设备、医疗设备、笔记本电脑、桌面电脑、服务器和销售点终端。

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SP125050A离散单向TVS二极管

该资料介绍了Littelfuse公司生产的SP1250单向TVS二极管（SPA®二极管），这是一种通用浪涌保护器件。该二极管采用专有的硅雪崩技术制造，提供高水平的静电放电（ESD）保护。它能够在不降低性能的情况下安全吸收±30 kV的重复ESD冲击，并能够安全地耗散符合IEC 61000-4-5第二版规定的50A 8/20μs浪涌事件。

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SP1001系列8pF 15kV单向TVS阵列规格书

本资料为Littelfuse公司SP1001系列单向TVS二极管阵列的数据手册。该产品采用专有的硅雪崩技术制造，旨在保护电子设备免受破坏性静电放电（ESD）的影响。这些二极管具有低负载电容和低漏电流的特点，适用于高速信号引脚的保护。

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