PROCESS CPD102X Schottky Diode High Voltage Schottky Diode Chip
●工艺细节
■工艺：外延平面
■芯片尺寸:9.0 X 9.0密耳
■芯片厚度:5.9密耳
■阳极焊盘面积:4.8密耳直径
■顶面金属化：Al-30，000Å
■背面金属化：Au-12，000Å
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