JST100N60D5-Q 60V N-Channel Mosfet

PW2312 20V N沟道MOSFET

该资料介绍了名为PW2312的20V N-Channel MOSFET的特性。它是一种TrenchFET功率MOSFET，具有优异的RDS(on)和低栅极电荷。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、动态特性、开关特性和源漏二极管特性等信息。

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30V/25mΩ@10V N沟道MOSFET

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JST45GN60D3-Q 60V N沟道MOSFET

本资料介绍了JST45GN60D3-Q型号的N-Channel Mosfet的特性。该器件具有低导通电阻（RDS(ON) ≤ 8.7mΩ），适用于汽车照明、同步整流、电源管理和PWM应用。它符合AEC Q101标准，并采用绿色环保材料（RoHS合规）。资料还提供了最大额定值、电气特性、典型性能曲线和封装尺寸。

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2N7002 60V N沟道MOSFET

本资料介绍了2N7002型60V N-Channel MOSFET的特性。该器件采用沟槽技术制造，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关和直流/直流转换器等应用。

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FDN337N 30V/2.2A N沟道MOSFET

本资料介绍了FDN337N这款30V/2.2A N-Channel MOSFET的特性。该器件采用沟槽功率LV MOSFET技术，具有高密度单元设计以实现低RDS(ON)，并具备高速开关能力。

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JST35GDN01D5-Q 100V双通道N沟道MOSFET

本资料介绍了JST35GDN01D5-Q型号的双通道N沟道MOSFET的特性。该器件适用于汽车系统、电源管理和PWM应用，具有低导通电阻（RDS(ON) ≤ 17mΩ）、AEC Q101认证和符合RoHS标准等特点。

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GP34K 20V N沟道MOSFET

该资料介绍了GP34K这款20V N-Channel MOSFET的产品概要。它采用了 trench technology技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷等特点，适用于负载开关和直流/直流转换器等应用。

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SL3424 30V/3.8A N沟道MOSFET

该资料介绍了SL3424型30V/3.8A N-Channel MOSFET的特性。它采用沟槽功率LV MOSFET技术，具有高密度单元格设计以实现低RDS(ON)，并具备高速开关能力。

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JST40GN80D5-Q 85V N沟道MOSFET

本资料介绍了JST40GN80D5-Q型号的N-Channel Mosfet的特性。该器件具有低导通电阻（RDS(ON) ≤ 14mΩ），适用于汽车照明系统和汽车系统等领域。它符合AEC Q101标准，并采用绿色环保材料（RoHS合规）。资料还提供了最大额定值、电气特性、典型性能曲线和封装尺寸图。

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QX3400 30V N沟道MOSFET

本资料介绍了QX3400系列30V N-Channel MOSFET的特性。这些MOSFET采用沟槽DMOS技术制造，具有低导通电阻、快速开关性能和高功率处理能力。它们适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。

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FDV305N 20V/0.9A N沟道MOSFET

本资料介绍了FDV305N是一款20V/0.9A N-Channel MOSFET。该器件具有低栅极电荷、低导通电阻等特点，适用于电池保护和负载开关等应用。

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2N7002kW 60V N沟道MOSFET

本资料介绍了2N7002KW型号的60V N-Channel MOSFET产品。该产品采用沟槽技术制造，具有低导通电阻、低栅极电荷等特点，适用于负载开关和直流/直流转换器等应用。

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GPT230N10LTF 100V N沟道MOSFET

本资料介绍了GPT230N10LTF型100V N-Channel MOSFET的特性。该器件采用Split Gate trench技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷和低栅极电阻等特点。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、动态特性、开关特性和源漏二极管特性等详细信息。

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SL2302D 20V/2.5A N沟道MOSFET

本资料介绍了SL2302D 20V/2.5A N-Channel MOSFET的特性。该器件采用沟槽功率LV MOSFET技术，具有高功率和电流处理能力。资料提供了详细的电气特性、开关特性、典型工作曲线以及封装尺寸信息。

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