CSP036N08-P.B

2024-05-17 国科赛思
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■描述

●CSP306N08是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟道II技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量，适合同步整流和高速开关应用。

■特征：

●快速切换
●低导通电阻
●低栅极电荷
●低反向传输电容
●雪崩强度高
●RoHS产品

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