S3L300R12D6S 3-Level IGBT Module

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发布时间： 2024-05-28 品牌： SEMI-FUTURE 资料类型：数据手册语言：中英文

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●电气特性:

■1200V 沟槽栅/场终止工艺

■1200V trench gate/field termination process

■低开关损耗

■Low switching losses

■Vcesat 正温度系数

■Vcesat has a positive temperature coefficient

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SC75N12I8LA IGBT芯片

2024-08-14 - 数据手册该资料介绍了SC75N12I8LA IGBT芯片的技术规格和应用。它采用了1200V trench & field stop技术，具有低开关损耗、正温度系数和易于并联的特点。资料提供了详细的机械参数、最大额定值、静态特性以及应用示例。

SEMI-FUTURE - IGBT CHIP,IGBT芯片,SC75N12I8LA,INVERTER,逆变器,电力驱动,POWER DRIVES

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S3L400R10GA7UB_C20三电平NPC1逆变模块

2024/9/18 - 数据手册该资料详细介绍了型号为 S3L400R10GA7UB_C20 的 3-Level NPC1 逆变模块。资料涵盖了模块的最大额定值、特性值、典型输出特性、开关损耗、瞬态热阻抗、电容特性等多个方面的详细信息。

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SC25N07I8U IGBT芯片

2024/8/21 - 数据手册本资料介绍了SC25N07I8U IGBT芯片的技术规格和应用。该芯片采用650V trench & field stop技术，具有低开关损耗和Vcesat特性，适用于光伏、充电桩等领域。

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SD120R12I7H带反并联二极管的分立式IGBT

2024/2/1 - 数据手册该资料详细介绍了SD120R12I7H型号的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及其反并联二极管的关键电气特性、最大额定值、热特性和典型应用。资料涵盖了产品的开关损耗、饱和电压、电流容量、温度范围、封装类型等重要参数。

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SD120R12IA7H带反并联二极管的分立式IGBT

2023/10/13 - 数据手册该资料详细介绍了SD120R12IA7H型号的IGBT器件及其反并联二极管。内容包括电气特性、关键性能参数、热特性、特征值、开关损耗、二极管特性等，并提供了典型的输出特性曲线和电路图。

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SD120R12I7HQ带反并联二极管的分立式IGBT

2024/2/1 - 数据手册该资料详细介绍了SD120R12I7HQ型号的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）及其反并联二极管的关键技术参数和应用。文档涵盖了电气特性、最大额定值、热特性、特征值、开关损耗、封装尺寸等内容。

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SD120R12IA7HQ带反并联二极管的分立式IGBT

2023/10/11 - 数据手册该资料详细介绍了SD120R12IA7HQ型号的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）及其反并联二极管。内容包括电气特性、最大额定值、热特性、特征值、开关损耗、二极管特性以及电路图和封装尺寸。

SEMI-FUTURE - IGBT分立器件,IGBT DISCRETE,SD120R12IA7HQ,储能逆变器,SOLAR INVERTERS,ENERGY STORAGE INVERTER,不间断电源,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,不断电系统,太阳能逆变器,光伏逆变器

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