YJN48C60HJ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

发布时间： 2024-05-28 品牌：扬杰科技

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●概述
■出色的散热封装
■低RDS（ON）的高密度电池设计
■环氧树脂符合UL 94 V-0可燃性等级
■无卤

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28-Aug-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJL05N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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YJG9D5G06A N沟道增强型场效应晶体管

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BSS138 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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●固态继电器
●直接逻辑电平接口：TTL/CMOS,BATTERY OPERATED SYSTEMS ● SOLID-STATE RELAYS ● DIRECT LOGIC-LEVEL INTERFACE：TTL/CMOS

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本资料介绍了BSS138型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench power MV MOSFET技术，具有低输入电容、快速开关速度和低漏电流等特点，适用于电池供电系统和固态继电器等。

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YJP11C65MJ N沟道增强型场效应晶体管

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YJR7D5G06AJ N沟道增强型场效应晶体管

本资料详细介绍了YJR7D5G06AJ型号的N通道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、应用领域和封装信息。该产品采用分割栅槽MOSFET技术，具有低导通电阻、良好的散热性能和环保特性，适用于电源开关应用、不间断电源和DC-DC转换器等。

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YJG95G06A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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