Substrate Vendor Alternate Product / Process Change Notification (PCN) (PCN240531)
●产品标识:
■以下发布给销售的零件号将受到此更改的影响:参见附录I
●更改说明:
■EPC宣布Wafer Works获得第二家硅衬底供应商的资格。晶圆厂拥有IATF16949认证。Wafer Works现在被批准为Si衬底的供应商,用于附录I中确定的已发布到销售的零件号。制造技术或封装尺寸不会发生变化。此更改不会影响数据表中定义的产品的形状、配合或功能。
■对晶圆厂基板进行了成功的鉴定测试,以确保达到或超过产品质量和可靠性要求。
■EPC将在客户接受PCN后,开始使用晶圆厂的基板为附录I中的EPC产品生产设备。在过渡期内及之后,客户可以从任何经批准的供应商处收到货物。
●上次购买时间:
■N/A
●信息请求
■如果我们在收到本PCN信函通知之日起30天内未收到任何书面反对意见,EPC认为该变更已获批准。
世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文内容由EPC品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
基板供应商替代产品/工艺变更通知(PCN)(PCN240501)
EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商,拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售部分编号见附录I。
EPC - EPC2212,EPC2214,EPC2216,EPC2014C,EPC2016C,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC8010,EPC2069,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2202,EPC2029,EPC2015C,EPC2206,EPC2007C,EPC8002,EPC2040,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC2221,EPC2022,EPC7014,EPC8004,EPC2716C
EPC2001C产品/工艺变更通知(PCN)
EPC宣布MSEC工厂已通过EPC Generation 4器件的晶圆探针测试资格认证。MSEC现在被批准为附录I中列出的EPC Generation 4销售部件号的晶圆探针测试站点。此次变更不影响制造技术或封装尺寸,也不影响产品规格书中定义的产品形式、尺寸和功能。MSEC将从2020年7月4日或之后(日期代码D2028或以后)开始生产附录I中的EPC产品。在过渡期间,客户可能从任何批准的EPC组装站点接收货物。
EPC - EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC8009,EPC2001C,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC2015C,EPC2016C,EPC2007C,EPC8002,EPC8004,EPC8010
EPC2001C产品/工艺变更通知(PCN)(PCN210601)
EPC宣布RAYTEK已通过PbF(无铅)晶圆凸块工艺的资格认证,成为EPC产品晶圆凸块组装的合格供应商。此次变更不影响产品形式、尺寸或功能,且成功通过了质量可靠性测试。RAYTEK将从2021年6月6日起开始生产EPC产品,涉及产品编号见附录I。
EPC - EPC2010C,EPC8009,EPC2001C,EPC2012C,EPC8010,EPC2014C,EPC2016C,EPC2019,EPC2007C,EPC8002,EPC8004
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
【经验】EPC推出的用于氮化镓器件的LGA和BGA封装寄生电感低、尺寸小和热性能出色,应用时需考虑相关制造和设计事项
LGA和BGA封装提供了充分利用eGaN技术能力所必需的低寄生电感、小尺寸和出色的热性能。通过适当的制造技术,使用eGaN器件的组件将具有高产量和长而可靠的工作寿命。本文EPC将就LGA和BGA器件封装、正确的焊点大小和回流曲线等展开叙述,这些都是关键的设计考量因素。
EPC2001C–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据表
本资料为EPC2001C增强型功率晶体管的电子数据表,介绍了该产品的技术规格、特性、应用领域和热设计。资料涵盖了最大额定值、静态特性、动态特性、电容特性、热阻特性、封装尺寸和标记等内容。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR,EGAN® FET,增强型功率晶体管,EPC2001C,LOW INDUCTANCE MOTOR DRIVES,D类音频,同步整流,INDUSTRIAL AUTOMATION,工业自动化,CLASS-D AUDIO,高频DC-DC变换,SYNCHRONOUS RECTIFICATION,HIGH-FREQUENCY DC-DC CONVERSION,低电感电机驱动
【经验】氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术,实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关
激光雷达(LiDAR)是一种远距感测技术,从感测器发射光脉冲,并记录反射光线的时间,从而映射物件的位置及距离,本文介绍了氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术,实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关,应用诸如自动驾驶汽车及驾驶辅助系统(ADAS)。
低压氮化镓晶体管-应用和可靠性
本文主要介绍了eGaN®FET技术的最新进展,包括技术更新、可靠性更新、应用更新和总结。文章重点讨论了eGaN FET在降低导通电阻、减少电容、电感、热阻和尺寸方面的优势,以及其在无线充电、LiDAR、包络跟踪、网络和服务器电源供应、卫星系统、高分辨率音频、节能照明、高分辨率MRI成像、交流适配器和机器人等领域的应用。此外,文章还对比了MOSFET和eGaN FET的成本,并展望了eGaN技术的未来发展方向。
EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2010C,EPC2001C,EPC2012C,EPC2015,EPC2105,EPC2014C,EPC2016C,EPC8003,EPC2021,EPC2010,EPC8007,EPC2100,EPC2001,EPC2012,EPC8004,机器人学,激光雷达,服务器电源,卫星系统,无线电源,网络,HIGH RESOLUTION CLASS-D AUDIO,LIDAR,节能照明,HIGH RESOLUTION MRI IMAGING,交流适配器,包络跟踪,ENERGY EFFICIENT LIGHTING,ROBOTICS,高分辨率MRI成像,高分辨率D类音频,ENVELOPE TRACKING,NETWORK,AC ADAPTERS,WIRELESS POWER,SERVER POWER SUPPLIES,SATELLITE SYSTEMS
【应用】开关速度为纳秒级的氮化镓功率MOSFET助力包络跟踪电源
EPC的氮化镓功率MOSFET其开关速度在纳秒级范围,具备超快速开关性能,可应用于包络跟踪的高频多相降压转换器中。
面向雷射雷達的eGaN®FET — 發揮雷射驅動器EPC9126的最大功效應用筆記
本文主要介绍了面向激光雷达应用的eGaN®FET技术,特别是EPC9126激光驱动器的性能优化。文章详细阐述了激光雷达的基本原理、激光和脉冲的要求,以及eGaN®FET在激光雷达驱动器中的应用优势。同时,文章还提供了EPC9126和EPC9126HC激光二极管驱动器的设计指南,包括共振电容放电激光驱动器的原理图、主要波形、设计公式和实验结果。此外,文章还讨论了使用EPC9126的技巧和注意事项,以及如何通过优化设计来提高激光雷达的性能。
EPC - 雷射二極體驅動器,氮化镓®场效应晶体管,EGAN®FET,雷射驅動器,硬體驅動器,氮化鎵場效應電晶體,開發板,EPC9126HC,EPC2212,EPC2001C,EPC9126XX系列,EPC2016C,EPC9126,EPC9126XX,激光雷达,雷射雷達,LIDAR,雷達
【应用】eGaN FETs用于外科手术机器人的BLDC电动机,具有更快频率和更高精度
外科手术机器人的首选电动机是三相无刷直流(BLDC)电动机,由通常使用MOSFET的三相逆变器电路驱动。 随着开关速度比MOSFET快得多的eGaN FET的出现,现在可以将逆变器设计为以更高的频率工作,从而可以提供更高的电效率。EPC公司的eGaN FET非常适合用于外科手术机器人的BLDC电动机驱动器,使得驱动器以更高的效率和更高的频率运行,具有更高的精度。
【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数,助力并联器件设计
EPC的氮化镓RDS(ON)的温度特性均是正温度系数, RDS(ON)随着器件温度的增加而增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性。
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
|
品类
|
最大耐压(V)
|
持续电流(A)
|
导通阻抗(mΩ)
|
导通电荷(nC)
|
峰值电流(A)
|
封装(mm)
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
15V
|
3.4A
|
30mΩ
|
0.745nC
|
28A
|
BGA 0.85 mm*1.2mm
|
电子商城
登录 | 立即注册
提交评论