YJG5D5G03A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

2024-06-12


●产品概述
■VDS:30V
■ID:55A
■RDS(ON)(VGS=10V时)<5.5mΩ
■RDS(ON)(VGD=4.5V时)<12mΩ
■100%EAS测试
■100%▽VDS测试
●概述
■出色的散热封装
■高密度电池设计,适用于低RDS(ON

YJG5D5G03A N沟道增强型场效应晶体管

扬杰科技

YJG5D5G03A

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N沟道增强型场效应晶体管

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