RM3404 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

2024-06-14 丽正国际
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●说明
■RM3404采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关和PWM应用。

●Genera功能
■VDS=30V,ID=5.8A
▲RDS(ON)<31mΩ@VGS=10V
▲RDS(ON)<43mΩ@VGS=4.5V
■高功率和电流处理能力
■获得无铅产品
■表面安装封装

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