LGE3D04065A Silicon Carbide Schottky Diode
●Features
■Zero Reverse Recovery Current
■Zero Forward Recovery Voltage
■Positive Temperature Coefficient on VF
■Temperature-independent Switching
■175°C Operating Junction Temperature
●Benefits
■Replace Bipolar with Unipolar Device
■Reduction of Heat Sink Size
■Parallel Devices Without Thermal Runaway
■Essentially No Switching Losses
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鲁光电子(LGE)碳化硅肖特基二极管选型表
选型表 - 鲁光电子 鲁光提供SiC肖特基二极管选型。覆盖2-80A、650-1700V，VF低至1.38V，QC 9-310nC，TO-220AC/247-2/247-3、DPAK、DFN、SOT-227等全封装，零反向恢复、低损耗、高温稳定，适配光伏、服务器、车载、工业电源PFC、DC-DC、逆变、充电桩等多样需求。
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产品型号
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品类
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VF（V）Typ
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IF（A）
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Typ IR（µA）
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VR（V）
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QC（nC）
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封装
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LGE3D02120F
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SiC Schottky Diode
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1.4
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2
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1
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1200
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14
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TO-252
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电子商城
现货市场
授权代理品牌：集成电路
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