LGE3D10065F Silicon Carbide Schottky Diode
●Features
■Zero Forward/Reverse Recovery Current
■High Blocking Voltage
■High Frequency Operation
■Positive Temperature Coefficient on VF
■Temperature Independent Switching Behavior
■High surge current capability
●Benefits
■Higher System Efficiency
■Parallel Device Convenience without thermal runaway
■Higher Temperature Application
■No Switching loss
■Hard Switching & Higher Reliability
■Environmental Protection
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产品型号
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品类
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Typ IR（µA）
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VR（V）
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IF（A）
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VF（V）Typ
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QC（nC）
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封装
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LGE3D10065F
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SiC Schottky Diode
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12
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650
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10
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1.45
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23
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TO-252/DPAK
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