INN650D070AH 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor

HCG65200DAA硅基氮化镓增强模式

该资料介绍了华轩阳电子有限公司生产的HCG65200DAA型号650V氮化镓增强型功率晶体管。该器件采用双平面无引线（DFN）封装，具有超高频切换、低栅极电荷和输出电荷等特点，适用于工业应用。

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HMn5N65Q 650V氮化镓增强型功率晶体管

本资料介绍了650V GaN增强型功率晶体管HMN5N65Q，该晶体管采用DFN封装，具有超高频切换、无反向恢复电荷、低栅极电荷和低输出电荷等特点。适用于工业应用，符合JEDEC标准，并符合RoHS、无铅和REACH标准。主要应用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、 Totem pole PFC、快速电池充电、高密度功率转换和高效率功率转换等领域。

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BRGN250N65YK氮化镓增强型功率晶体管数据表

本资料介绍了BRGN250N65YK这款650V GaN增强型功率晶体管的数据手册。该器件采用DFN8×8-3L塑料封装，具有低电阻、低栅极电荷和输出电荷等特点，适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、图腾柱PFC、快充和高密度功率转换等领域。

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HMN10N65Q 650V氮化镓增强型功率晶体管

该资料介绍了HMN10N65Q型号的650V GaN增强型功率晶体管，该晶体管采用DFN封装，具有超高频切换、无反向恢复电荷、低栅极电荷和低输出电荷等特点，适用于工业应用，符合RoHS、无铅和REACH标准。

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HMN10N65D 650V氮化镓增强型功率晶体管

本资料介绍了HMN10N65D型650V GaN增强型功率晶体管，该产品采用DFN封装，具有超高频切换、无反向恢复电荷、低栅极电荷和输出电荷等特点，适用于工业应用，符合RoHS、无铅和REACH标准。

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HMN17N65Q 650V氮化镓增强型功率晶体管

本资料介绍了HMN17N65Q型号的650V GaN增强型功率晶体管，该晶体管采用DFN封装，具有超高频切换、无反向恢复电荷、低栅极电荷和低输出电荷等特点，适用于工业应用，符合RoHS、无铅和REACH标准。

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HMN17N65D 650V氮化镓增强型功率晶体管

本资料介绍了HMN17N65D型号的650V GaN增强型功率晶体管，该晶体管采用双平面无引脚封装（DFN），尺寸为8mm×8mm。主要特点包括增强型晶体管、超高频切换、无反向恢复电荷、低栅极电荷和低输出电荷，适用于工业应用，符合RoHS、无铅和REACH标准。

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HCG65140DAA硅上氮化镓增强模式

该资料介绍了华轩阳电子有限公司生产的HCG65140DAA型号650V氮化镓增强型功率晶体管。这款晶体管采用双平面无引脚封装（DFN），具有超高的开关频率、低栅极电荷和输出电荷等特点，适用于工业应用，符合JEDEC标准，并具备ESD保护和环保合规性。

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HCG65140DBA硅基氮化镓增强模式

该资料介绍了华轩阳电子有限公司生产的HCG65140DBA型号650V GaN-on-Silicon增强型功率晶体管。这款晶体管采用双平面无引脚封装（DFN），具有超高的开关频率、低栅极电荷和输出电荷等特点，适用于工业应用，符合JEDEC标准，并具备ESD保护功能。

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HCG65200DBA硅基氮化镓增强模式

该资料介绍了华轩阳电子有限公司生产的HCG65200DBA型号650V氮化镓增强型功率晶体管。该产品采用双平面无引脚封装（DFN），具有超高频切换、低栅极电荷和输出电荷等特点，适用于工业应用。

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英诺赛科（Innoscience）INN650D02—650V GaN增强型功率晶体管数据手册

INN650D02 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor Datasheet

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INN700D350B 700V氮化镓增强型功率晶体管

该资料详细介绍了INN700D350B这款700V GaN增强型功率晶体管。该晶体管采用DFN封装，具有高开关频率、无反向恢复电荷、低栅极电荷和输出电荷等特点，适用于工业应用，符合RoHS、Pb-free、REACH标准。资料还提供了关键性能参数、应用领域、引脚信息和订购信息。

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INN650D150A 650V氮化镓增强型功率晶体管

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