GT180P08D5 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
●说明
■GT180P08D5采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷。可用于各种应用。
●一般特性
■VDS-80V
■ID(VGS=-10V)-78A
■RDS(ON)(VGS=-10V)<18mΩ
■RDS(ON)(VGS=-4.5V)<21mΩ
■100%雪崩测试
■符合RoHS
GT180P08D5 P沟道增强型功率MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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DFN5X6-8L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023/3/13 |
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V1.0 |
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1 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
|
品类
|
Configuration
|
ESD
|
VDS(V)
|
Id at 25℃(max)(A)
|
PD(max)(W)
|
Vgs(th)typ(V)
|
RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ、Ω)
|
Qg(nC)
|
Ciss(pF)
|
Crss(pF)
|
Package
|
G06P01E
|
Trench Mosfet
|
P channel
|
ESD
|
-12V
|
-4A
|
1.8W
|
-0.6V
|
23mΩ~28mΩ
|
14
|
1087
|
253
|
SOT-23
|
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