GT180P08D5 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

2024-07-05
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●说明
■GT180P08D5采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON)、低栅极电荷。可用于各种应用。

●一般特性
■VDS-80V
■ID(VGS=-10V)-78A
■RDS(ON)(VGS=-10V)<18mΩ
■RDS(ON)(VGS=-4.5V)<21mΩ
■100%雪崩测试
■符合RoHS

GT180P08D5 P沟道增强型功率MOSFET

GOFORD

GT180P08D5

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2023/3/13

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品类
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PD(max)(W)
Vgs(th)typ(V)
RDS(on)(typ)(@4.5V)(mΩ、Ω)
Qg(nC)
Ciss(pF)
Crss(pF)
Package
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