GT130N10M N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

时间： 2024-07-05

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●说明
■GT130N10M采用先进的沟槽技术，提供优异的RDS（ON）、低栅极电荷。可用于各种应用。

●一般特性
■VDS 100V
■ID（VGS=10V）60A
■RDS（ON）（VGS=0V）<12mΩ
■100%雪崩测试
■符合RoHS

中文标题（翻译）:	GT130N10M N沟道增强型功率MOSFET
厂牌:	GOFORD
型号:	GT130N10M 查看更多 Part#
品类:	N通道增强模式功率MOSFET 查看更多
应用:	[ DC/DC转换器 ][ 电源开关 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,Datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-263 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2023/6/19
过期日期:
版本号:	V1.0
文档编码:
文件大小:	1.1 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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