EG2183Q 芯片数据手册 高压 650V 半桥驱动芯片

2024-07-05
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■描述:
●EG2183Q 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
●EG2183Q 高端的工作电压可达 650V,低端 VCC 的电源电压范围宽 10V~20V,静态功耗小于 200uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 内建了一个 250K 下拉电阻, LIN 内建了上拉到高电位,在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 I O+/- 2/2.5A,采用 SOP8封装。
■特性:
●高端悬浮自举电源设计,耐压可达 650V
●适应 5V、3.3V 输入电压
●最高频率支持 500KHZ
●VCC和VB电源带欠压保护
●低端 VCC 电压范围 10V-20V
●输出电流能力 I O+/- 2A/2.5A
●内建死区控制电路
●自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通
●HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出
●LIN 输入通道低电平有效,控制低端 LO 输出
●外围器件少
●封装形式:SOP8
●无铅无卤符合 ROHS 标准

屹晶微电子

EG2183Q

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大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片高压 650V 半桥驱动芯片芯片

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