FS6P03F SOT-89 沟道增强型场效应管(FS6P03F SOT-89 P Channel Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
●低导通电阻
●Low on-resistance
●RDS(ON)<35mΩ@VGS=-10V
●RDS(ON)<55mΩ@VGS=-4.5V
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
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