SFD1N65 1A,650V N-CHANNEL POWER MOSFET

2024-07-24
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●概述


■这些N通道增强模式电源可以提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲


●特点


■ID=1A，VDS=650V

<
■RDS（ON）

>


▲典型值：8.0Ω@VGS=10V

>


▲最大值：9.5Ω


SFD1N65 1A，650V N沟道功率MOSFET

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VGS(V)
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PD[25℃] (W)
VGS(th)[min] (V)
VGS(th)[max] (V)
RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)
Ciss(typ)(pF)
QG[typ](nC)
SFF7N65-Y
高压功率MOSFETs
TO-220F-3L
N
650
±20
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