SFD5N50TS 5A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET

2024-07-23
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●概述


■这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Hi semico专有的平面条形VDMOS技术生产的


●特点


■VDS（V）=500V，ID=5A


■RDS（开启）

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▲典型值：1.5Ω@VGS=10V ID=2.5A


▲最大值：1.8Ω

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VDS[max] (V)
VGS(V)
ID[max](25℃) (A)
PD[25℃] (W)
VGS(th)[min] (V)
VGS(th)[max] (V)
RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)
Ciss(typ)(pF)
QG[typ](nC)
SFF7N65-Y
高压功率MOSFETs
TO-220F-3L
N
650
±20
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