SFU4N65E 4A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET

2024-07-24
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●概述


■这些N沟道增强型功率场效应晶体管是使用Hi semico专有的平面条纹DMOS技术生产的


■这项先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器


●特点


■VDS（V）=650V，ID=4A


■RDS（ON）

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▲典型值：2.3Ω@VGS=10V ID=2A


▲最大值：2.9Ω

SFU4N65E 4A，650V N沟道功率MOSFET

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VGS(th)[min] (V)
VGS(th)[max] (V)
RDS(on)[typ] (@10V) (Ω)
Ciss(typ)(pF)
QG[typ](nC)
SFF7N65-Y
高压功率MOSFETs
TO-220F-3L
N
650
±20
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