EPC2215 eGaN FET Material Composition Declaration
●注：
■本文公开的物质含量是近似的，基于工程计算。声明基于我们目前的知识，可能会因技术要求和发展而随时更改。EPC可在不通知的情况下更新本文件。声明可能不包括有关成品中包含的电气设备中微量掺杂剂和金属材料的信息。
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EPC2215氮化镓场效应晶体管材料成分声明 |
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Material Composition Declaration,测试报告,材料成分声明 |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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4/24/2024 |
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EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC29215_55
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer
Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.
【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS不能满足要求，需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在激光雷达上。
【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计
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【应用】采用eGaN FET EPC2045实现低成本高性能的DCDC设计
EPC2045是一款100V/7mΩ、电流能力高达16A的增强型氮化镓场效应晶体管。目前采用EPC2045的EPC9130的功率密度做到了1250W/in³，在成本上可以实现¥0.5/W以内的低成本设计。EPC2045相比于Si MOSFET，在损耗上优势也比较明显。在48V输入、12V/10A输出、驱动频率为500KHz的条件下，EPC2045可提供1.5%的更高效率。
【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍
EPC推出新型200V eGaN FETs（氮化镓增强型功率晶体管），相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半，栅电极和源电极之间的距离有所减小，金属层的厚度增加等诸多改进使第五代FET的性能提高了一倍。
【经验】EPC eGaN FET和eGaN IC PCB封装设计指南
一个良好的PCB封装设计对于GaN器件的一致性和可靠性是很重要的。本文是根据数据手册为EPC器件设计正确封装的指导原则——以EPC2016C和EPC2045为例，分别从LGA和BGA封装来完成介绍。
【应用】基于eGaN FET与 GaN IC的低成本ToF激光雷达方案
用于激光雷达系统的典型脉冲激光驱动器通常使用与激光器和电源串联的半导体功率开关器件，其性能受寄生电感和半导体功率器件的速度所限制。GaN技术则能够支持短距离和远距离激光雷达传感器的设计。EPC公司的EPC9126和EPC9126HC是针对远距离直接飞行时间应用的大电流激光二极管驱动器的演示系统，EPC9144激光驱动器演示系统针对间接飞行时间应用进行了优化。
EPC2901C_55氮化镓场效应晶体管材料成分声明
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EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2901C_55
EPC Launches 40V EPC2055 eGaN FET Ideal for High Power Density Solutions for USB-C Battery Chargers and Ultra-thin Point-of-Load Converters
December 2020 — Efficient Power Conversion (EPC) Corporation advances the performance capability of low voltage, off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2055 (3mΩ, 40V) eGaN FET. This device is ideal for applications with demanding requirements for performance in space-constrained form factors including USB-C batter chargers and ultra-thin point-of-load (POL) converters.
【选型】为自动驾驶车载多线激光雷达选择车规级eGaN FET EPC2203+EPC2214，助力小型化设计
为满足车载多线激光雷达驱动激光二极管实现更快的开关，满足小型化设计需求，以及通过车规级认证的高可靠性要求，推荐选择EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）EPC2203和EPC2214，最大漏源电压VDS均为80V，最大脉冲电流分别为17A和47A，可驱动高功率LD激光二极管，同时，均是小尺寸BGA封装，可满足小型化设计需求。
EPC2234氮化镓场效应晶体管材料成分声明
本资料为EPC2234元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2024年5月6日发布。声明中详细列出了该元器件的各组成部分及其所含物质，包括硅、氮化镓、铝、钛、铜、钨、聚酰亚胺等，并提供了每种物质的CAS编号、重量百分比和总重量。声明强调，所提供的数据为估算值，可能因技术要求和开发而变化，EPC可能随时更新此文件，且声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。
EPC - EGAN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2234
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