PJQ1916 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

2024-07-25
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●特点


■先进的沟槽工艺技术


■ESD保护

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>
■专为开关负载、PWM应用等设计

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■无铅，符合欧盟RoHS 2.0

<1>>
■符合IEC 61249标准的绿色模塑料


●机械数据


■外壳：DFN1006-3L封装

7克

PJQ1916 20V N沟道增强型MOSFET

PANJIT

PJQ1916、PJQ1916_R1_00201

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产品型号
品类
封装
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
RDS(on) Max.(mΩ)10V
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ.(nC)10V
PJA3403_R1_00001
低压MOS
SOT-23
P
Single
-30V
12V
-3.1A
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产品型号
品类
Package
Product Status
Replacement Part
AEC-Q101 Qualified
ESD
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(±V)
ID(A)
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
Qg Typ. (nC)(4.5V)
PJQ5542V-AU
Low Voltage MOSFET
DFN5060-8L
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