ADG075N65KT5 带反并联软快恢复二极管的IGBT分立器件(ADG075N65KT5 IGBT discrete with soft,fast recovery anti-parallel diode)
■650V 沟槽栅/场截止工艺
■低开关损耗
■正温度系数
■低电磁干扰
■最高结温175℃
●Features
■650V Trench Gate/Field-Stop Process
■Low Switching Losses
■Positive Temperature Coefficient in VCEsat
■Low EMI
■Maximum Junction Temperature 175℃
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数据手册（DATA SHEET）,数据手册 |
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详见资料 |
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TO247-3L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Feb, 2024 |
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Rev. A3 |
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1.3 MB |
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产品型号
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品类
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Package
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VCE(V)
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IC(A)
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AMG200L12L1H3RB
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IGBT功率模块
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ACL
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1200
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200
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