S2M0120120D 1200V SIC POWER MOSFET Data Sheet
■ 说明
●S2M0120120D是封装在TO-247AD外壳中的单SiC功率MOSFET。该器件是一种高压n沟道增强型MOSFET，在极端温度下具有非常低的总传导损耗和非常稳定的开关特性。S2M0120120D非常适合在具有挑战性的环境中进行对能量敏感的高频应用。
■ 特点
●正温特性，易于并联。
● 典型低导通电阻。RDS（开启）=133 mΩ。
● 开关速度快，开关损耗低。
● 非常快速和坚固的本征体二极管。
● 非光亮锡电镀工艺
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S2M0120120D 1200V SiC功率MOSFET数据表 |
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SiC功率场效应晶体管、单SiC功率MOSFET、电动汽车快速充电模块、电动汽车、电路板充电器、太阳能逆变器、在线式UPS、工业不间断电源、开关模式电源、模式电源开关、DC-DC转换器、字母S、储能系统 |
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[ 电动汽车快速充电模块 ][ 电动汽车车载充电器 ][ 太阳能逆变器 ][ 在线式UPS ][ 工业不间断电源 ][ 开关模式电源 ][ 模式电源开关 ][ DC-DC转换器 ][ 字母S ][ 储能系统 ] |
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数据手册,数据表,Data Sheet |
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详见资料 |
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TO-247AD |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2024/7/12 |
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REV.A |
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N2715 |
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1.5 MB |
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