YHJ-65P080DA: (DFN 8x8) Cascode GaN HEMT DATASHEET

2024-08-07


■说明:

●YHJ-65P080DA是一种采用共源共栅配置的常关型氮化镓高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistor)器件,可提供高击穿电压、高电流和高工作速度,适用于高功率应用。

■特征:

●栅极驱动电压兼容性(-20V至+20V)
●高工作频率
●低Qrr

YHJ-65P080DA:(DFN 8x8)共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管规格书

誉鸿锦

YHJ-65P080DA

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常关型氮化镓高电子迁移率晶体管器件高电子迁移率晶体管器件共源共栅氮化镓高电子迁移率晶体管

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品类:氮化镓场效应管

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品牌:誉鸿锦

品类:GaN MOSFET

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品类:氮化镓场效应管

价格:¥4.0000

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

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