IXYT120N65A5HV 650 V, 120 A Gen5 XPT™ IGBT Extreme Light Punch Through IGBT for up to 5 kHz Switching Datasheet

2024-08-13
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●说明:

■这些器件采用我们专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的沟槽IGBT工艺开发,具有热阻低、传导损耗低和栅极驱动器要求低的特点。

●特点和优点:

■针对低传导损耗进行了优化
■高浪涌电流能力
■方形RBSOA
■国际标准封装
■低栅极电荷QG
■低栅极驱动要求

IxyT120N65A5HV 650 V、120 A Gen5 XPT™IGBT极轻型穿通IGBT,开关频率高达5 kHz规格书

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