HM07DP10D P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

发布时间： 2024-08-26 品牌：虹美功率半导体

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●概述
■沟槽式功率MV MOSFET技术
■低RDS（ON）的高密度单元设计
■高速开关
●产品概述
■VDS-100V
■ID-7A
■RDS（ON，VGS=-4.5V）＜225mohm
■RDS（开启）（VGS=-10V）＜210mohm
■RDS=-1.8V＜30mohm

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20-Sep-19 - 数据手册 - Rev.2.0 代理服务技术支持采购服务

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23-Oct-21 - 数据手册 - Rev.3.2 代理服务技术支持采购服务

虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS，BMS&电动车&平衡车SGT MOS，USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS，储能 SGT MOS，串联半桥驱动MOS，带FRD高压平面MOS，低压SGT MOS，主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。

产品型号	品类	工艺	沟道	封装	VDS(Max) (BVDSS(V))	ID(Max) (A)	IDM (A)	VTH (Typ) (V)	VGS (V)	RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)	RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
HMS120N03D	中压大电流SGT MOS	SGT工艺(Split Gate)	N沟道	DFN5X6-8L	30V	120A	340A	1.7V	20V	1.95mΩ	2.85mΩ

选型表 - 虹美功率半导体代理服务技术支持采购服务立即选型

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23-Mar-22 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJL3401AL P沟道增强型场效应晶体管

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该资料详细介绍了HM06DP10Q P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（增强型场效应晶体管）的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。该晶体管采用沟槽功率MV MOSFET技术，具有低RDS(ON)、高速开关等特点，适用于电池保护、负载开关和电源管理等应用。

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