1Gb NAND FLASH 1Gb (128Mx 8), 3.3v ,8 bit ECC NAND flash
●概述
■ZDND1GXXXX是一个3.3v 1Gbit NAND电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），组织为（2048+128）字节×64页×1024块。该设备具有2176字节的静态寄存器，允许以2176字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输程序和读取数据。擦除操作以单个块为单位实现（128千字节+8千字节：2176字节×64页）。
■ZDND1GXXXX是一种串行型存储设备，它利用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作会自动执行，使该设备最适合固态文件存储、语音记录、静止相机的图像文件存储器和其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统等应用。
●特点
■每单元单层（SLC）技术
■ECC要求：8bit/512Bytes
■电源电压
▲电压范围：2.7V~3.6V
■组织
▲页面大小：x8（2048+128）字节；128字节备用区
▲块大小：x8（128k+8k）字节
▲1004块（最小）~1024块（最大）
■模式
▲读取、重置、自动页面编程、自动块擦除、状态读取、页面复制
■访问时间
▲单元阵列到寄存器：25μs（最大）
▲串行读取周期：25 ns（最小）（CL=50pF）
■编程/擦除时间
▲自动页面程序：300μs/页（典型）
▲自动块擦除：2.5 ms/块（典型）
■可靠性
▲10年数据保留（典型）
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1GB NAND闪存1GB（128MX 8），3.3V，8位ECC NAND闪存 |
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单3.3V 1Gbit NAND E2PROM、1GB NAND闪存、1GB（128MX 8），3.3V，8位ECC NAND闪存、单3.3V 1Gbit NAND电可擦可编程只读存储器 |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023/12/28 |
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Rev. 1.1 |
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3.4 MB |
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产品型号
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品类
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Density(Mb、Gb)
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Interface
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Type
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Voltage Range(V)
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Package
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Packaging
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ZD35Q1GC-IBR
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Nand Flash Memory
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1Gb
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SPI
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Nand
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2.7 -3.6V
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WSON 6x8
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Tape&Reel
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产品型号
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品类
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Type
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Density
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Interface
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Voltage
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Package
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ZD24C08A-SSGMT
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I²C兼容（2线）串行EEPROM
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EEPROM
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8Kb
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I2C
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1.65V-5.5V
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SOP8-150
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澜智（ZETTA）闪存、DDR3(L)和电源管理芯片选型指南
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