SD75R07A6 IGBT Discrete with Anti-Parallel Diode
■650V 沟槽栅/场终止工艺
■低开关损耗
■Vcesat 正温度系数
●Features And Benefits:
■650V trench gate/field termination process
■Low switching losses
■Vcesat has a positive temperature coefficient
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SD75R07A6带反并联二极管的分立式IGBT |
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数据手册（DATA SHEET）,数据手册 |
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详见资料 |
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TO-247-3L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023/11/13 |
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Edition 1.8 |
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3.4 MB |
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