FCI-InGaAs-300B1XX Back Illuminated InGaAs Photodiode / Arrays

时间： 2024-10-10

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●FCI-InAs-300B1XX系列是多功能背照式光电二极管/阵列。它们标配为单元件二极管或有源面积为300um的4或8元件阵列。这些背照式InGaAs光电二极管/阵列被设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以传统方式安装（活动区域朝上），也可以面朝下组装，以最小化整体尺寸。这些低电感、低暗电流和低电容背照式光电二极管/阵列有或没有陶瓷基板
●特点：

■背照
■前后高响应
■低噪声
■光谱范围900nm至1700nm

中文标题（翻译）:	FCI-InGaAs-300B1xx背照式InGaAs光电二极管/阵列
厂牌:	OSI Optoelectronics
型号:	FCI-InGaAs-300B1XX、FCI-InGaAs-300B1XX series、FCI-InGaAs-300B1、FCI-InGaAs-300B1X4、FCI-InGaAs-300B1X8 查看更多 Part#
品类:	多功能背照式阵列、背照式InGaAs光电二极管、背照式InGaAs、多功能背照式光电二极管查看更多
应用:	[ 高速光通信 ][ 多通道光纤接收器 ][ 功率监测 ][ 单模光纤接收器 ][ 多模光纤接收器 ][ 快速以太网 ][ 仪表 ][ 模拟接收机 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,数据表,Data sheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2022/7/8
过期日期:
版本号:
文档编码:
文件大小:	442 KB
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本资料为First Sensor公司生产的AD230-9型雪崩光电二极管（APD）的数据表。该器件具有0.04平方毫米的有效面积，适用于近红外光谱范围的光电探测，具备高量子效率、快速上升时间和低噪声等特点。

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2023-05-26 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务