YJD212060T2GHQ Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement）

时间： 2024-10-12

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●特点
■高速开关
■基本上没有开关损耗
■降低散热要求
■最高工作温度为175℃
■高阻断电压
■低恢复电流的快速本征二极管
■高频操作
■无卤素，符合RoHS标准
■符合AEC-Q101标准

中文标题（翻译）:	YJD212060T2GHQ碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）
厂牌:	扬杰科技
型号:	YJD212060T2GHQ 查看更多 Part#
品类:	碳化硅功率场效应晶体管查看更多
应用:	[ 电动车 ][ 电机驱动 ][ 不间断电源 ][ 充电器 ][ 太阳能逆变器 ][ 光伏逆变器 ] 查看更多
资料类型:	DATA SHEET,数据手册,数据表查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	T2PAK 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	18-Sep-24
过期日期:
版本号:	Rev.1.0
文档编码:	S-SIC348
文件大小:	925 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

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