AKG10N022DAM-A 100V 2.2mohm N-channel SGT MOSFET DATASHEET
●说明:
■这种N沟道SGT MOSFET被设计为低导通电阻并保持优异的开关性能,特别是对于高效电源管理应用。AEC-Q101合格
●特点:
■低RDS(ON)
■符合RoHS标准
■无卤素
■100%UIS测试
■AEC-Q101合格
AKG10N022DAM-A 100V 2.2mOhm N沟道SGT MOSFET规格书 |
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数据手册,DATASHEET |
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详见资料 |
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TO-263-7L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2024/10/10 |
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Rev.1.0 |
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1 MB |
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