AKG4N016GL 40V 1.6mohm N-channel SGT MOSFET DATASHEET
●说明：
■这种N沟道SGT MOSFET的设计具有低导通电阻和优异的UIS和开关性能，特别适用于电机驱动应用和高效DC-DC应用。
●特征：
■低RDS（ON）
■100%UIS测试
■符合RoHS标准
■无卤素
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AKG4N016GL 40V 1.6mOhm N沟道SGT MOSFET规格书 |
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数据手册,DATASHEET |
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详见资料 |
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PDFN |
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2023/12/12 |
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Rev.1.1 |
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983 KB |
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