4-Mbit (512K x 8) Static RAM Part Number: DPA71049DV3302A

16-Mbit（2M X 8）静态RAM-零件编号：DPA71069DV3302A

DPA71069DV3302A是一款高性能CMOS静态RAM，组织为2,097,152字x8位。该产品具有宽工作温度范围（-55˚至+125˚C）、高速（tAA = 12 ns）、低功耗（ICC = 125 mA @ 12 ns）等特点。它采用3.3 V直流供电，支持2.0V数据保持，具有自动掉电功能。该产品提供54针SO陶瓷扁平封装，兼容TTL输入输出，并支持CE2特性，便于内存扩展。

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512Kx8低电压、超低功耗CMOS静态RAM

该资料介绍了ISSI公司生产的IS62/65WV5128EHALL/BLL系列静态RAM产品。这些产品采用高性能CMOS技术制造，具有512Kx8位组织结构，并集成了ECC功能以提高可靠性。产品特点包括高速访问时间、低功耗、TTL兼容接口、单电源供电、可选的ERR1/ERR2引脚用于错误检测和纠正，以及三态输出。产品支持商业、工业和汽车级温度范围，并提供无铅选项。资料还包含了功能框图、引脚配置、引脚描述、功能描述、电气特性、时序图和订购信息等内容。

ISSI  -  IS65WV5128EHALL/BLL,IS62WV5128EHALL/BLL

256K x 16高速异步CMOS静态RAM，带ECC

该资料介绍了IS61/64WV25616EDBLL高速异步CMOS静态RAM，具有ECC功能。主要特点包括：高速访问时间（8或10纳秒）、低功耗（典型值为85毫瓦）、单电源供电（2.4V至3.6V）、无需时钟或刷新、三态输出、上下字节数据控制、工业和汽车温度支持、无铅选项、错误检测和纠正功能。该产品采用ISSI的高性能CMOS技术制造，具有高可靠性和低功耗。资料还提供了功能框图、真值表、引脚配置、引脚描述、绝对最大额定值、电容值、错误检测和纠正功能、操作范围、直流电气特性、交流测试条件、读写周期切换特性、数据保持特性、订购信息和封装尺寸图。

ISSI  -  IS64WV25616EDBLL,IS61WV25616EDBLL

CY7C199 32K X 8静态RAM

TELEDYNE E2V  -  高性能CMOS静态RAM,STATIC RAM,HIGH-PERFORMANCE CMOS STATIC RAM,静态RAM,7C199-15,7C199-12,7C199-45,CY7C199-8VC,7C199-25,7C199-35,CY7C199,7C199-8,7C199-10,7C199-20,COMMERCIAL,INDUSTRIAL,军事的,商业的,工业,MILITARY

CY7C185/CY7C186 8，192 X STAIC R/W RAM

TELEDYNE E2V  -  STAIC R/W RAM,高性能CMOS静态RAM,STAIC R/W RAM,HIGH-PERFORMANCE CMOS STATIC RAMS,7C186-35,7C185-20,CY7C185-55VC,CY7C186,CY7C186-35PC,CY7C185,CY7C185-45DC,CY7C185-35LC,CY7C185-10DC,CY7CL85-55LC,CY7C185-10PC,CY7C185-15VC,CY7C185-12PC,CY7C185-35PC,CY7C186-45DC,7C185-15,7C185,7C186,7C186-20,7C185-11,7C185-55,7C185-10,CY7C186-25PC,CY7C185-55DC,CY7C185-15DC,CY7C185-45LC,CY7C185-20DC,CY7C185-25VC,CY7C185-20PC,CY7C186-35DC,CY7C185-20LC,CY7C185-45PC,7C185-45,CY7C185-10VC,CY7C185-12VC,7C186-55,CY7C185-25DC,CY7C185-15PC,CY7C185-35VC,CY7C186-25DC,CY7C185-55PC,7C185-35,CY7C186-20DC,CY7C185-20VC,CY7C185-45VC,7C186-45,CY7C185-12DC,CY7C185-35DC,CY7C186-45PC,CY7C186-20PC,CY7C185-25LC,CY7C186-55PC,CY7C185-25PC,CY7C186-55DC,商业的,COMMERICIAL

16-Mbit（1M X 16）静态RAM-零件编号：DPA71061DV3302A

DPA71061DV3302A是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1,048,576字x16位。该器件具有宽工作温度范围（-55°C至+125°C）、高速（tAA = 12 ns）、低功耗（ICC = 125 mA @ 12 ns）等特点。支持3.3 V直流供电，具有自动掉电功能。器件采用54针SO陶瓷扁平封装，与54针TSOP II封装相同。读写操作通过特定的引脚配置实现，具有TTL兼容的输入和输出。

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4 Mbit（1M X 4）静态RAM

该资料介绍了DPA71046D02A型4-Mbit静态RAM，这是一种高性能CMOS静态RAM，组织为1M字x 4位。资料详细描述了其工作原理、操作方式、性能参数和应用特点。

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4 Mbit（256K X 16）静态RAM

DPA71041DV3302A是一款高性能CMOS静态RAM，具有256K x 16位组织结构。该器件支持-55˚至+125˚的工作温度范围，具有高速、低功耗和低静态功耗等特点。器件支持TTL兼容的输入和输出，并提供自动掉电功能。此外，该产品采用44针SO陶瓷扁平封装，与44针TSOP II封装相同，可作为Cypress CYC1041DV33的替代品。

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8 Mbit（1M X 8）静态RAM

该资料介绍了DPA71059DV3302A型号的8-Mbit静态RAM，详细描述了其性能、工作温度范围、功耗、供电电压、数据保持能力、自动掉电功能、输入输出特性、封装类型以及兼容性等信息。

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4 Mbit（512K X 8）静态RAM

DPA71049D02A是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字x8位。它具有低功耗、高速、宽工作温度范围等特点。该器件支持读写操作，具有芯片使能、输出使能和三态驱动器等功能。此外，它还具备易于扩展的内存、TTL兼容的输入输出、自动掉电等功能，适用于军事和太空环境。

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4-Mbit（256K X 16）静态RAM部件编号：DPA71041D02A

DPA71041D02A是一款高性能CMOS静态RAM，具有256K x 16位组织结构。该器件支持-55˚至+125˚C的宽工作温度范围，具备高速、低功耗和低静态功耗等特点。读写操作通过芯片使能和写使能输入实现，支持字节低使能和字节高使能，具有TTL兼容的输入和输出。此外，该器件还具备自动掉电功能、数据保持能力和易于扩展的内存特性。

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8 Mbit（512K X 16）静态RAM

该资料介绍了一种名为DPA71051DV3302A的8-Mbit静态RAM。该器件具有高速、低功耗、宽工作温度范围等特点，支持3.3V直流供电，并具备自动掉电功能。此外，该器件采用TTL兼容的输入输出，易于内存扩展，并提供定制封装选项。

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2-Mbit（128K X 16）静态RAM部件编号：DPA71011DV3302A

DPA71011DV3302A是一款高性能CMOS静态RAM，具有128K x 16位组织结构。支持-55˚至+125˚C的宽温工作范围，具备高速、低功耗、低待机功耗等特点。支持3.3V直流供电，2.0V数据保持功能。读写操作可通过芯片使能和写使能信号控制，支持独立控制上下字节。提供44针SO陶瓷扁平封装，与44针TSOP II封装相同，可替代Cypress CYC1011DV33产品。

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2-Mbit（256K X 8）静态RAM部件编号：DPA71010DV3302A

DPA71010DV3302A是一款高性能CMOS静态RAM，具有256K x 8的存储容量。该产品支持-55˚至+125˚C的工作温度范围，具有高速（tAA = 12ns）、低功耗（ICC = 90 mA @ 12 ns）、低CMOS待机功耗（ISB2 = 10 mA）等特点。供电电压为3.3 V直流，支持2.0V数据保持。产品采用44针SO陶瓷扁平封装，具有自动掉电功能，输入输出与TTL兼容，并提供定制包装服务。

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CY7C186 8KX8静态RAM

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