ECO FLUID TRANSFORMER BUSHING Up to 245 kV / 1250 A

发布时间： 2025-03-16 品牌： TRENCH

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Eco Fluid Transformer Bushings 提供了一种环保且可靠的连接方式，将高压电源连接到变压器，基于经过验证的沟槽设计，提高了安全性和使用寿命。这些变压器套管符合所有 IEC 或 IEEE 标准，适用于高达 245 kV 的电压等级，额定电流高达 1250 A。设计基于客户的规格，套管采用优质克重纸制造法兰和 CT 口袋，准备应对所有环境条件。

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NCE（新洁能）MOSFET 选型表

NCE（新洁能）为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C）其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。推出的TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并大大降低成本，可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。

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安邦 - 功率MOSFET,N-CHANNEL SUPER TRENCH POWER MOSFET,同步整流,高频开关,DC/DC转换器

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长晶科技提供如下MOS的技术选型:VDS(V)范围：-100~+650；VGS(V)范围：±6~±30；ID(A)范围：-100~+248.....长晶科技的MOS有SOP8、SOT-223、CSPC3420-10、DFN1006-3L等多种封装形式，可广泛应用于汽车,工业,电源,家电,电脑周边,通讯,照明,医疗,新能源,电汽等领域。

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WAYON power MOSFET选型表

WAYON（维安半导体）提供 Trench P Channel Power MOSFET（沟槽P沟道功率MOSFET）/SGT P Channel Power MOSFET（SGT P沟道功率MOSFET）/Trench N Channel Power MOSFET(沟槽N沟道功率MOSFET)/SGT N Channel Power MOSFET（SGT N沟道功率MOSFET）/Multi-Channel MOSFET Power MOSFET(多沟道功率MOSFET)选型，Type：N/P，ESD：NO/YES，VDS(V)：-150~300V，Vgs Max(v)：±10~±20V，VGS(th)(V)-Typ.:-3~3.8.

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BKE65N150LZ1 650V 150A Trench FS IGBT

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萃锦半导体 - TRENCH FS IGBT,BKE65N150LZ1,电机驱动,不间断电源,DC-AC

2025/06/04 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

GOFORD(谷峰电子)MOSFET选型表

GOFORD(谷峰电子)M提供Trench Mosfet/Planar Mosfet/N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET/SiC MOSFET选型：VDS(V)：-250~1200，Id at 25℃(max)(A)：-200~400，PD(max)(W)：0.3-2300，Ciss(pF)：19-15870.

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台懋MOSFET选型表

台懋提供MOSFET场效应管选型，涵盖N沟道、P沟道及互补型产品，电压范围20V-200V，电流0.2A-280A。关键特性包括低导通电阻（最低0.5mΩ）、多种封装（SOT-23、SOP-8L、TO-220等），支持Trench和SGT技术，部分型号具备ESD保护。N沟道型号如TM30N03D（30V/30A）适用于高效电源管理，P沟道如TM60P03D（-30V/-60A）适合负压电路，互补型如TM4614（40V/-40V）可用于H桥驱动。全系列覆盖工业、消费电子及汽车应用，提供高性价比解决方案。