SiC MOSFET

时间： 2025-03-21

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这份文档详细介绍了SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性、优点、应用以及电气特性。文档中包含了SiC MOSFET的型号、最大额定值、电气特性、热特性、动态特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史等信息。

中文标题（翻译）:	SiC场效应晶体管
厂牌:	macrocore semiconductor
型号:	HX1M022120D 查看更多 Part#
品类:	SiC场效应晶体管查看更多
应用:	[ 电源因子校正模块 ][ DC-AC逆变器 ][ 高压DC/DC转换器 ][ 开关模式电源 ] 查看更多
资料类型:	数据手册查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-247-3 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2022-08-25
过期日期:
版本号:	Preliminary B 11
文档编码:	Doc11
文件大小:	1.5 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

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SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性以及典型性能。资料中包含了产品的主要参数，如VDS、ID、RDS(on)、VGS(th)等，并提供了产品在不同温度下的性能曲线和封装尺寸信息。

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SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料中未提及具体的产品特性，但强调了其高速度切换、低电容、高阻断电压、低导通电阻等优势，适用于功率因数校正模块、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器等应用领域。

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2024-07-22 - 数据手册 - Rev. A

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2024-04-19 - 数据手册 - Rev. A1

SiC场效应晶体管

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2024-06-03 - 数据手册 - Preliminary 11

SiC场效应晶体管

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2024-06-12 - 数据手册 - Preliminary 11

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2024-07-10 - 数据手册 - Preliminary A 11

SiC场效应晶体管

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数据手册 - Rev. A1

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数据手册 - Rev. A1

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数据手册 - Rev. A2

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2024-06-21 - 数据手册 - Rev. A3

SiC场效应晶体管

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数据手册 - Rev. A2

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2024-04-22 - 数据手册 - Rev. A3

SiC场效应晶体管

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2024-08-19 - 数据手册 - Rev. A2

SiC场效应晶体管

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2024-03-11 - 数据手册 - Preliminary 1/10

SiC场效应晶体管

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2024-06-05 - 数据手册 - Rev. A3

SiC场效应晶体管

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2024-06-03 - 数据手册 - Rev. A

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2023-06-26 - 数据手册 - Rev. A

SiC场效应晶体管

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2024-08-07 - 数据手册 - Rev. A1

SiC场效应晶体管

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2024-06-26 - 数据手册 - Rev. A

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2024-05-22 - 数据手册 - Rev. A

SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料中未提及具体的产品特性，但强调了其高速度切换、低电容、高阻断电压、低导通电阻等优势，适用于功率因数校正模块、DC-AC逆变器、高压DC/DC转换器等应用领域。

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2023-09-08 - 数据手册 - Rev. A

SiC场效应晶体管

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2024-08-07 - 数据手册 - Rev. A1

SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装轮廓和修订历史。资料涵盖了SiC MOSFET的主要参数，如阻断电压、导通电阻、开关速度、功耗等，并提供了在不同工作条件下的详细数据。

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2024-04-19 - 数据手册 - Rev. 4.0

SiC场效应晶体管

本资料详细介绍了SiC MOSFET的特性、电气特性、热特性、动态特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸以及修订历史。资料涵盖了产品的主要参数、应用领域和性能指标，为工程师提供了全面的技术信息。

MACROCORE SEMICONDUCTOR - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,HX1M013120K,开关电源,DC-AC逆变器,高压DC/DC转换器,功率因数校正模块

2024-04-19 - 数据手册 - Rev. A1

中瑞宏芯SiC MOSFET器件在电焊机中的应用及优势

‌SiC MOSFET器件在电焊机应用中的优势主要体现在提高效率、降低成本、增强便携性、提高可靠性和耐压高等方面。中瑞宏芯的SiC MOSFET以其高效能、高频率和出色的高温性能，可将开关频率提升至100kHz以上，并已成功开发并量产了多个低开关损耗产品系列，为电焊机行业带来革命性变革，成为现代智能制造的优选方案。

2024-12-12 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

SiC MOSFETs在电动工具中的应用概述及典型拓扑

随着SiC MOSFET宽禁带半导体的出现，其优越的开关性能迅速引起电机驱动界的高度关注。SiC MOSFETs能够将开关损耗降低70%左右，或者在接近3倍的开关频率下达到同样的效率。随着更高的电机驱动频率的实现，电机可以设计成更多的极数，以减少电机的尺寸。这些现象都显示了SiC MOSFETs在高速、高效、高密度电机驱动方面的巨大潜力。

2024-11-18 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

macrocore semiconductor SiC MOSFET选型表

macrocore semiconductor中瑞宏芯提供以下技术参数的SiC MOSFET选型:涵盖650V至2000V耐压范围，导通电阻从13mΩ至560mΩ，支持最大电流8A至125A，产品封装形式多样，包括TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-7L、DFN8*8、TOLL等，满足不同功率密度需求。所有型号均支持-40℃至175℃工作温度范围，部分型号通过车规级认证。具备低导通电阻、高开关速度及低栅极电荷量（QG最低13nC），优化系统效率和热性能。产品线交期为3个月，支持灵活起订量，助力客户快速量产。

Operating Junction Temperature（℃）

选型表 - macrocore semiconductor 代理服务技术支持采购服务立即选型

中瑞宏芯基于第二代SiC MOSFET技术推出1200V 20/30mΩ低开关损耗产品，专为高频、高效应用开发

中瑞宏芯（Macrocore）针对大功率充电桩、电机驱动等开关频率高、功率大的应用需求，基于第二代SiC MOSFET技术，开发了1200V 20mΩ，1200V 30mΩ低开关损耗产品。

2024-12-04 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准

ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。

2022-03-11 - 产品代理服务技术支持采购服务

中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

2024-11-28 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

中瑞宏芯SiC MOSFET器件在汽车空调电动压缩机中的应用，有效降低损耗，提高整体效率

为了满足日益增长的需求，如降低成本、缩小尺寸、减少振动和噪声、提高功率和能效等，电动压缩机的设计和器件选型显得尤为重要。在这方面，SiC MOSFET器件凭借其卓越的性能，正逐渐成为行业的首选。中瑞宏芯（macrocore）推荐1200V/40mΩ＆ 80mΩ SiC MOSFET：HX2M040120K，HX1M040120J，HX1M080120K和HX1M080120J。

2024-12-27 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

macrocore semiconductor MOS管选型表

macrocore semiconductor提供MOS管选型表产品，含车规级和工业级，VDS(V):650V~2000V

产品型号	品类	VDS(V)	RDSON(mΩ)@25℃	RDSON(mΩ)@175℃	ID(A)@25℃	Vth(V)	Operating Junction Temperature	Qualification
HX1M040065D	SiC MOSFET	650	33	35	77	2.7	－40℃to175℃	工业级

选型表 - macrocore semiconductor 代理服务技术支持采购服务立即选型

【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT4，漏源电压VDS达到1700V

深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V，TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A，耗散功率PD=420W。

2022-03-10 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【元件】中瑞宏芯半导体1200V 14mΩ SiC MOSFET正式发布，175℃、800V下短路3.5μS安全通过

近日，随着可靠性测试的完成，macrocore semiconductor中瑞宏芯正式发布1200V/14mΩ SiC MOSFET新产品——HX1M014120K的量产计划，成为国内极少数可批量提供该规格大电流低导通电阻SiC MOSFET产品的半导体厂商之一。

2024-11-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】用TO-247封装的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，适用于开关电源

爱仕特推出的N沟道SiC MOSFET ASC100N1200MT3，采用TO-247封装，在Tc=25℃的条件下，漏源电压为1200V，耗散功率为550W。可用于EV电机驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。

2022-08-23 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】650V/TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，符合AEC-Q101标准

P3M06040K4/P3M06060K4是派恩杰推出的两款漏源电压650V，TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，无卤素，符合RoHS标准。产品通过了100%UIS测试，符合AEC-Q101标准，适用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器等。

2020-11-14 - 新产品代理服务技术支持采购服务

B2M065120H SiC MOSFET

本资料介绍了B2M065120H型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、开关特性、反向二极管特性和典型性能。该器件适用于高频操作，具有低导通电阻和高阻断电压等特点。

基本半导体 - 碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M065120H,开关模式电源,DC/DC变换器,电源逆变器,EV充电站,POWER INVERTER,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,EV CHARGING STATION,SOLAR INVERTER,MOTOR DRIVERS,电动机驱动器,太阳能逆变器,SMPS,DC/DC CONVERTER,模式电源开关

2023-05-22 - 数据手册 - Rev. 0.0 代理服务技术支持采购服务

B2M012120N SiC MOSFET

本资料介绍了B2M012120N型号的碳化硅（SiC）MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性、封装参数和应用领域。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频操作等优点，适用于多种电源转换应用。

基本半导体 - 碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M012120N,WELDING,开关模式电源,电源逆变器,EV充电站,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTER,POWER INVERTER,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,INDUCTION HEATING,EV CHARGING STATION,直流/高压变换器,感应加热,SOLAR INVERTER,焊接,MOTOR DRIVERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SMPS,模式电源开关

2024-07-26 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持采购服务